[发明专利]蚀刻方法

权利要求书

1.一种蚀刻方法，包括下列步骤：

提供一基板；

形成一绝缘层于所述基板上；

形成一图案化罩幕层于所述绝缘层上；以及

导入一混合气体对所述绝缘层进行蚀刻，用以在所述绝缘层中形成一穿孔，其中所述混合气体包括一第一氟碳气体与一氧气，且所述第一氟碳气体与所述氧气的比例介于2:1~2:3。

2.如权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于，所述基板为硅基板。

3.如权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于，所述绝缘层包括氧化硅、氮化硅或其组合。

4.如权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于，所述图案化罩幕层包括硼硅玻璃、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃或四乙氧基硅烷。

5.如权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于，通过反应性离子蚀刻方法对所述绝缘层进行蚀刻。

6.如权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于，所述第一氟碳气体为二氟甲烷。

7.如权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于，还包括导入一第二氟碳气体对所述绝缘层进行蚀刻，其中所述第二氟碳气体包括八氟环丁烷、八氟环戊烯或六氟丁二烯。

8.如权利要求7所述的蚀刻方法，其特征在于，所述第二氟碳气体与所述氧气的流量比例介于1:1~3:10。

9.如权利要求7所述的蚀刻方法，其特征在于，所述第二氟碳气体与所述第一氟碳气体的流量比例介于3:20~5:20。

10.如权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于，所述穿孔为接触孔。