[发明专利]有源矩阵有机发光二极管显示器的修补方法有效

专利信息
申请号: 201210577902.2 申请日: 2012-12-27
公开(公告)号: CN103035204A 公开(公告)日: 2013-04-10
发明(设计)人: 刘玉成;邱勇;葛泳;黄秀颀;朱涛 申请(专利权)人: 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司
主分类号: G09G3/32 分类号: G09G3/32;G09G3/00
代理公司: 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 代理人: 朱振德
地址: 215300 江苏省苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 有源 矩阵 有机 发光二极管 显示器 修补 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种AMOLED显示器的屏体修补方法,尤其涉及一种修复因单端供电线路断路造成的屏体线缺陷的方法。

背景技术

AMOLED(Active-Matrix Organic Light-Emitting Diode,有源矩阵有机发光二极管)显示器件是主动发光器件。相比现在的主流平板显示技术TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,薄膜晶体管液晶显示器),AMOLED具有高对比度、广视角、低功耗、体积更薄等优点,有望成为继LCD之后的下一代平板显示技术,是目前平板显示技术中受到关注最多的技术之一。

目前AMOLED主要使用LTPS-TFT(Low Temperature Poly Silicon Thin Film Transistor,低温多晶硅薄膜晶体管)驱动OLED发光。低温多晶硅的形成过程如下:化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition ,CVD)的非晶硅经过准分子激光退火(Excimer Laser Annealing,ELA)后,形成多晶硅。由ELA形成的多晶硅均匀性较差,为了得到更均匀的显示效果,通常采用设计补偿电路的方式来补偿薄膜晶体管(TFT)的阈值电压。随着补偿电路的引入,信号线的数量也逐渐增加,为了减少驱动IC的数量,并且减少显示屏边框的宽度,一些信号线会采用单端供电的方式对显示单元写入电信号。因低温多晶硅薄膜晶体管制作的良率较低,部分单端供电的线路会出现断路的情况,造成最终的显示屏出现线缺陷,严重影响显示效果。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种有源矩阵有机发光二极管显示器的修补方法,在单端供电的线路出现断路时,可以通过该方法对断路进行修复。

为了解决上述技术问题,本发明提供了一种有源矩阵有机发光二极管显示器的修补方法,该修补方法利用邻近故障线路的断路处的双端供电路线在断路处两端之间形成连接桥,将故障线路的断路处两端连通,完成修补。

其中,利用邻近故障线路的断路处的双端供电路线在断路处两端之间形成连接桥方法为:

A、检测故障线路的断路处;

B、将邻近所述断路处的双端供电线路切断,从所述双端供电线路上截取修补段;

C、将所述故障线路的断路处两端分别与所述修补段连通。

进一步地,被切断的所述双端供电线路包括两条与所述故障线路垂直的双端供电线路和一条与所述故障线路平行的双端供电线路。

进一步地,每根所述双端供电线路上切断两处,两处断点之间形成所述修补段,其中垂直于所述故障线路的两个修补段一端分别与所述故障线路的断路处两端连通,另一端与平行于所述故障线路的修补段两端连通。

进一步地,所述步骤B中,采用激光切割的方式将所述双端供电线路切断。

进一步地,所述步骤C中,采用激光焊接的方式将所述故障线路的断路处两端与所述修补段连通。

进一步地,采用激光焊接的方式将垂直于所述故障线路的修补段另一端与平行于所述故障线路的修补段两端连通。

本发明的有源矩阵有机发光二极管显示器的修补方法,利用双端供电线路断线不影响显示的特点,通过在双端供电线路上截取修补段将断路的单端供电线路两端连接起来,从而达到修复断路的目的。

附图说明

图1为有源矩阵有机发光二极管显示器的像素结构等效电路图。

图2为有源矩阵有机发光二极管显示器的局部线路简化示意图。

图3为有源矩阵有机发光二极管显示器的局部像素结构示意图。

图4为有源矩阵有机发光二极管显示器的数据信号线断路后的局部像素结构示意图。

图5为有源矩阵有机发光二极管显示器的数据信号线断路后的局部线路简化示意图。

图6是本发明的有源矩阵有机发光二极管显示器的修补方法的流程图。

图7为根据本发明的修补方法截断驱动线和初始化线后的局部像素结构示意图。

图8为根据本发明的修补方法修补断路数据信号线后的局部像素结构示意图。

图9为根据本发明的修补方法修补断路数据信号线后的局部线路简化示意图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明,以使本领域的技术人员可以更好的理解本发明并能予以实施,但所举实施例不作为对本发明的限定。

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