[发明专利]LLS液晶显示器及其彩膜基板有效
申请号: | 201210577053.0 | 申请日: | 2012-12-26 |
公开(公告)号: | CN103278983A | 公开(公告)日: | 2013-09-04 |
发明(设计)人: | 岳明彦 | 申请(专利权)人: | 上海中航光电子有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1345;G02F1/133 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑玮 |
地址: | 上海市闵*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | lls 液晶显示器 及其 彩膜基板 | ||
技术领域
本发明涉及平板显示技术,特别涉及一种LLS液晶显示器及其彩膜基板。
背景技术
液晶显示器因其体积小、重量轻、功耗低且显示质量优异而得到广泛应用。但是,因为液晶显示器所固有的视角问题,使得液晶显示器的使用受到很多限制。目前业界已经提出了很多改善视角问题的方案,如光学补偿(optically compensated Birefringenc,OCB)液晶显示显示器、边缘场开关(Fringe Field Switching,FFS)液晶显示器、多畴垂面排列(Multi-domain Vertical Alignment,MVA)液晶显示器以及线间开关(line to line switching,LLS)液晶显示器。
现有的LLS液晶显示器通常包括:一阵列基板、一彩膜基板,位于所述阵列基板与所述彩膜基板之间的液晶层,以及用于将所述阵列基板和所述彩膜基板粘合的封框胶。
如图1所示,所述阵列基板100上形成有多条栅极线101、公共电极总线106和数据线102,相邻的栅极线101和数据线102限定一像素单元A。其中,栅极线101与公共电极总线106平行设置,并且为同一种材料同一工艺形成。
如图2所示,每一个像素单元内形成有一个薄膜晶体管(TFT)103、像素电极104和公共电极105,其中梳状的像素电极104和梳状的公共电极105相互间隔设置且平行,呈“<”形排列在像素单元内。通常,在每个像素单元内,各公共电极105均与公共电极总线106相连接,所述公共电极总线106与所述TFT103的部分漏极金属层107重叠形成存储电容Cs。所述LLS液晶显示器工作时,液晶分子初始取向近似平行于像素电极104和公共电极105,对栅极线101施加电压使TFT103打开后,当所述数据线102向像素电极104输入信号电压后,所述公共电极105和像素电极104之间形成一水平电场,使液晶分子在同一平面内沿着水平电场方向扭转。通过调整信号电压的大小,可以控制液晶分子的扭转程度,进而达到调制透过率的效果。在所述数据线102向像素电极104提供信号电压的同时,存储电容Cs也被充电,当TFT103关闭后,由所述存储电容Cs继续为像素电极104提供电压。为了保证在TFT103关闭后,像素电极104上能够维持稳定的电压,需要足够大的存储电容Cs。
图3是图2沿B-B方向的剖面图。如图3所示,为了提高存储电容Cs,通常通过增大所述漏极金属层107与公共电极总线106的重叠面积,但是公共电极总线106的材料通常都是不透明的金属,因此公共电极总线106面积的增大,会导致开口率的下降。也就是说,提高液晶显示器存储电容Cs是以牺牲液晶显示器的开口率为前提的。
发明内容
本发明提供一种LLS液晶显示器及其彩膜基板,以解决现有技术中提高存储电容和开口率矛盾的问题,其可在不牺牲开口率的前提下达到提高存储电容的目的。
为解决上述技术问题,本发明提供一种LLS液晶显示器,包括一彩膜基板和一阵列基板,所述阵列基板上还包括多个薄膜晶体管和多条公共电极总线,其中,所述彩膜基板包括:
一基板,所述基板包括多个显示单元,所述显示单元包括显示区域和包围所述显示区域的周边区域;
形成于所述显示区域内的黑矩阵;
形成于所述显示区域内的黑矩阵上的多条导电线,所述导电线与所述薄膜晶体管的漏极相交叠;以及
形成于所述周边区域内的导通线,所述导电线和所述导通线电连接,所述导通线与所述公共电极总线电连接。
可选的,所述LLS液晶显示器还包括封框胶,所述封框胶将所述彩膜基板和所述阵列基板粘合,所述封框胶内掺有导电垫料,所述导通线和所述公共电极总线通过所述导电垫料电连接。
可选的,所述LLS液晶显示器所述阵列基板还包括多条栅极线和多条数据线,相邻的所述栅极线和数据线限定了像素单元,在每一个所述像素单元内形成多个像素电极和多个公共电极,所述公共电极与公共电极总线相连接。
可选的,所述导电线和所述导通线采用相同材料制备。
可选的,所述导电线和所述导通线的材料为非透明金属。
可选的,所述非透明金属为铬、铝、铜中的一种或几种的合金。
可选的,所述导电线的线宽小于或等于其所在处的黑矩阵的线宽。
可选的,所述所述导电线和所述导通线的材料为透明金属。
可选的,所述透明材料为氧化铟锡。
可选的,所述导电线的线宽大于、小于或等于其所在处的黑矩阵的线宽。
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