[发明专利]一种改善高压MOS晶体管栅致漏电的方法

权利要求书

1.一种改善高压NMOS晶体管栅致漏电的方法，其特征在于包括：

第一步骤，用于在硅片上形成高压NMOS晶体管栅极结构以及高压PMOS晶体管栅极结构；

第二步骤，用于在第一步骤之后得到的结构上布置光刻胶，并且形成光刻胶的图案，从而去除所有高压PMOS晶体管区域上的光刻胶，而且去除高压NMOS晶体管栅极结构多晶硅层上的靠近漏极的部分光刻胶；

第三步骤，用于利用形成图案的光刻胶执行重P型的离子注入掺杂，从而形成所有高压PMOS晶体管的源极和漏极，并且向高压NMOS晶体管的栅极的靠近漏极的一部分执行重P型的离子注入掺杂。

2.根据权利要求1所述的改善高压NMOS晶体管栅致漏电的方法，其特征在于，高压NMOS晶体管栅极结构和高压PMOS晶体管栅极结构均包括堆叠在硅片上的栅极氧化物层和多晶硅层的叠层，以及形成在所述叠层两侧的第一栅极侧壁和第二栅极侧壁。

3.根据权利要求1所述的改善高压NMOS晶体管栅致漏电的方法，其中，通过版图的更改来实现所述的去除高压NMOS区域部分的光刻胶，即在现有P+光刻的版图的基础上，额外增加高压NMOS区域的开口部分。

4.一种改善高压PMOS晶体管栅致漏电的方法，其特征在于包括：

第一步骤，用于在硅片上形成高压NMOS晶体管栅极结构以及高压PMOS晶体管栅极结构；

第二步骤，用于在第一步骤之后得到的结构上布置光刻胶，并且形成光刻胶的图案，从而去除所有高压NMOS晶体管区域上的光刻胶，而且去除高压PMOS晶体管栅极结构多晶硅层上的靠近源极的部分光刻胶；

第三步骤，用于利用形成图案的光刻胶执行重N型的离子注入掺杂，从而形成所有高压NMOS晶体管的源极和漏极，并且向高压PMOS晶体管的栅极的靠近源极的一部分执行重N型的离子注入掺杂。

5.根据权利要求4所述的改善高压PMOS晶体管栅致漏电的方法，其特征在于，高压NMOS晶体管栅极结构和高压PMOS晶体管栅极结构均包括堆叠在硅片上的栅极氧化物层和多晶硅层的叠层，以及形成在所述叠层两侧的第一栅极侧壁和第二栅极侧壁。

6.根据权利要求4所述的改善高压PMOS晶体管栅致漏电的方法，其中，通过版图的更改来实现所述的去除高压PMOS区域部分的光刻胶，即在现有N+光刻的版图的基础上，额外增加高压PMOS区域的开口部分。