[发明专利]用于相变存储器的Ti-Ge-Te系列材料及其制备方法

权利要求书

1.一种用于相变存储器的Ti-Ge-Te系列材料，其特征在于，所述Ti-Ge-Te系列材料的化学式为：Ti_1-x-yGe_xTe_y，其中0<x<0.8，0<y<1-x。

2.根据权利要求1所述的用于相变存储器的Ti-Ge-Te系列材料，其特征在于：在所述Ti_1-x-yGe_xTe_y中，满足0<x=y<0.5。

3.根据权利要求1或2所述的用于相变存储器的Ti-Ge-Te系列材料，其特征在于：在所述Ti_1-x-yGe_xTe_y中，满足0<1-x-y≤0.1。

4.根据权利要求1或2所述的用于相变存储器的Ti-Ge-Te系列材料，其特征在于：在所述Ti_1-x-yGe_xTe_y中，满足0.01<1-x-y≤0.04。

5.根据权利要求1或2所述的用于相变存储器的Ti-Ge-Te系列材料，其特征在于：在所述Ti_1-x-yGe_xTe_y中，满足0.04<1-x-y≤0.08。

6.根据权利要求1或2所述的用于相变存储器的Ti-Ge-Te系列材料，其特征在于：在所述Ti_1-x-yGe_xTe_y中，满足1-x-y=0.06。

7.一种制备用于相变存储器的Ti-Ge-Te系列材料的方法，其特征在于，所述方法至少包括以下步骤：在氩气气氛中采用Ge、Te、Ti三靶共溅射或Ti靶和Ge-Te合金靶两靶共溅射，在衬底上形成Ti-Ge-Te系列材料，其中0<x<0.8，0<y<1-x；所述Ti靶采用射频电源或直流电源；所述Ge靶、Te靶及Ge-Te合金靶采用射频电源或直流电源。

8.根据权利要求7所述的制备用于相变存储器的Ti-Ge-Te系列材料的方法，其特征在于：氩气的流量范围是50~400 sccm。

9.根据权利要求7所述的制备用于相变存储器的Ti-Ge-Te系列材料的方法，其特征在于：所述Ti靶采用直流电源时溅射功率小于或等于80W；所述Ti靶采用射频电源时溅射功率小于或等于160W。

10.根据权利要求7所述的制备用于相变存储器的Ti-Ge-Te系列材料的方法，其特征在于：所述Ti靶采用射频电源时溅射功率为20W、40W或60W。