[发明专利]发光元件、发光装置以及电子设备无效
申请号: | 201210575073.4 | 申请日: | 2012-12-26 |
公开(公告)号: | CN103187532A | 公开(公告)日: | 2013-07-03 |
发明(设计)人: | 藤田彻司;山本英利 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 金世煜;苗堃 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 元件 装置 以及 电子设备 | ||
1.一种发光元件,其特征在于,具有阳极、阴极、和设置在所述阳极与所述阴极之间的发光层以及载流子捕捉层,
所述发光层发出可见光,
所述载流子捕捉层含有由下述式(1)表示的噻唑系化合物,
式(1)中,A表示氢原子、烷基、可具有取代基的芳基、芳氨基、三芳基胺;B表示氢原子、烷基、可具有取代基的芳基、芳氨基、三芳基胺,或者可以形成环。
2.根据权利要求1所述的发光元件,其中,所述噻二唑系化合物由下述式(1B)表示,
式(1B)中,A各自独立地表示氢原子、烷基、可具有取代基的芳基、芳氨基、三芳基胺。
3.根据权利要求1所述的发光元件,其中,所述噻二唑系化合物由下述式(1C)表示,
式(1C)中,A各自独立地表示氢原子、烷基、可具有取代基的芳基、芳氨基、三芳基胺。
4.根据权利要求1所述的发光元件,其中,所述噻二唑系化合物由下述式(1D)表示,
式(1D)中,A和B各自独立地表示氢原子、烷基、可具有取代基的芳基、芳氨基、三芳基胺。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的发光元件,其中,所述载流子捕捉层与所述发光层相比,位于所述阳极侧。
6.根据权利要求5所述的发光元件,其中,所述载流子捕捉层除所述噻唑系化合物以外进一步含有主体材料,
该主体材料为胺系材料、蒽系材料以及萘并萘系材料中的至少1种。
7.根据权利要求1~4中任一项所述的发光元件,其中,所述载流子捕捉层与所述发光层相比,位于所述阴极侧。
8.根据权利要求7所述的发光元件,其中,所述载流子捕捉层除所述噻唑系化合物以外进一步含有主体材料,
该主体材料为蒽系材料、萘并萘系材料以及羟基喹啉系金属配合物中的至少1种。
9.根据权利要求1~8中任一项所述的发光元件,其中,所述发光层为一层。
10.根据权利要求9所述的发光元件,其中,所述发光层发出蓝色的发光色作为所述可见光。
11.根据权利要求9所述的发光元件,其中,所述发光层发出黄色的发光色作为所述可见光。
12.根据权利要求1~8中任一项所述的发光元件,其中,所述发光层由至少两层构成。
13.一种发光装置,其特征在于,具备权利要求1~12中任一项所述的发光元件。
14.一种电子设备,其特征在于,具备权利要求13所述的发光装置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择