[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。

背景技术

有机电致发光器件（OLED）是基于有机材料的一种电流型半导体发光器件。其典型结构是在ITO玻璃上制作几十纳米厚的有机发光材料作发光层，发光层上方有低功函数的金属电极。当电极上加有电压时，发光层就产生光辐射。

有机电致发光器件受到湿气和潮气侵蚀后，会引起有机电致发光器件内部元件的材料发生老化进而失效，从而所述有机电致发光器件的寿命较短。

发明内容

基于此，有必要提供一种寿命较长的有机电致发光器件及其制备方法。

一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极及阻挡层，所述阻挡层包括依次层叠的有机阻挡膜及无机阻挡膜，所述阴极与所述有机阻挡膜直接接触；所述有机阻挡膜的材料选自酞菁铜、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、8-羟基喹啉铝、4,4',4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺及4，7－二苯基－1，10－邻菲罗啉中的至少一种，所述无机阻挡膜的材料包括氧化物及混合在所述氧化物中的碳化物，所述氧化物选自MgAl₂O₄、Bi₂Ti₄O₁₁、CrNiO₄、CoCr₂O₄、Fe₂LuO₄及Y₃Al₅O₁₂中的至少一种，所述碳化物选自SiC、WC、TaC、BC、TiC及HfC中的至少一种。

在其中一个实施例中，所述无机阻挡膜中所述碳化物的质量百分含量为10%~30%。

在其中一个实施例中，所述阻挡层的层数为4~6，多个所述阻挡层依次层叠。

在其中一个实施例中，所述有机阻挡膜的厚度为200nm~300nm，所述无机阻挡膜的厚度为100nm~200nm。

在其中一个实施例中，所述发光层的材料包括1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯及掺杂在所述1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的三（2-苯基吡啶）合铱，所述三（2-苯基吡啶）合铱的质量百分含量为5%;

所述空穴注入层的材质为MoO₃按照25wt%的掺杂浓度掺杂入N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺中组成的掺杂混合材料；

所述空穴传输层的材质为采用4,4',4″-三（咔唑-9-基）三苯胺；

所述电子传输层的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉；

所述电子注入层的材质为CsN₃按照25wt%的掺杂浓度掺入4,7-二苯基-1,10-菲罗啉中组成的混合材料。

一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：

在阳极基底的阳极层上依次真空蒸镀层叠形成空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极；及

在所述阴极上形成阻挡层，所述阻挡层包括依次层叠的有机阻挡膜及无机阻挡膜，所述阴极与所述有机阻挡膜直接接触；所述有机阻挡膜的材料选自酞菁铜、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、8-羟基喹啉铝、4,4',4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺及4，7－二苯基－1，10－邻菲罗啉中的至少一种，所述无机阻挡膜的材料包括氧化物及混合在所述氧化物中的碳化物，所述氧化物选自MgAl₂O₄、Bi₂Ti₄O₁₁、CrNiO₄、CoCr₂O₄、Fe₂LuO₄及Y₃Al₅O₁₂中的至少一种，所述碳化物选自SiC、WC、TaC、BC、TiC及HfC中的至少一种。

在其中一个实施例中，所述阻挡层的层数为4~6，多个所述阻挡层依次层叠。

在其中一个实施例中，所述有机阻挡膜由真空蒸镀制备，蒸镀时，真空度为1×10^-5Pa～1×10^-3Pa，蒸发速度