[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法

权利要求书

1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠设置的阳极基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极层、有机阻挡层及硒氮化合物层，其中，所述有机阻挡层的材料为酞菁铜、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、8-羟基喹啉-铝、4,4',4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺或4,7－二苯基－1，10－邻菲罗啉；所述硒氮化合物层包括氮化合物和掺杂在所述氮化合物中的硒化合物，所述硒化合物为Sb₂Se₃、MoSe₂、Bi₂Se₃、NbSe₂、TaSe₂或Cu₂Se，所述氮化合物为Si₃N₄、AlN、BN、HfN、TaN或TiN，所述硒化合物在所述硒氮化合物层中的掺杂质量浓度为10~30%。

2.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机阻挡层的数量为4~6层，所述硒氮化合物层的数量与所述有机阻挡层的数量相同，所述有机阻挡层与所述硒氮化合物层交替设置。

3.如权利要求1或2所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机阻挡层的厚度为200~300nm。

4.如权利要求1或2所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述硒氮化合物层的厚度为100~150nm。

5.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴注入层的材质为MoO₃按照25wt%的掺杂浓度掺杂入N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺中组成的掺杂混合材料；

所述空穴传输层的材质为采用4,4',4″-三（咔唑-9-基）三苯胺；

所述发光层的材质为三（2-苯基吡啶）合铱按照5wt%的掺杂浓度掺杂入1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中组成的掺杂混合材料；

所述电子传输层的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉；

所述电子注入层的材质为CsN₃按照25wt%的掺杂浓度掺入4,7-二苯基-1,10-菲罗啉中组成的混合材料。

6.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

在阳极基板的阳极层上依次真空蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极层；

采用真空蒸发的方式在所述阴极层上制备有机阻挡层，所述有机阻挡层的材料为酞菁铜、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、8-羟基喹啉-铝、4,4',4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺或4,7－二苯基－1，10－邻菲罗啉；

采用磁控溅射的方式在所述有机阻挡层上制备硒氮化合物层，所述硒氮化合物层包括氮化合物和掺杂在所述氮化合物中的硒化合物，所述硒化合物为Sb₂Se₃、MoSe₂、Bi₂Se₃、NbSe₂、TaSe₂或Cu₂Se，所述氮化合物为Si₃N₄、AlN、BN、HfN、TaN或TiN，所述硒化合物在所述硒氮化合物层中的掺杂质量浓度为10~30%。

7.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，还包括重复制备所述有机阻挡层及所述硒氮化合物层的步骤，共制得4~6层所述有机阻挡层以及与所述掺有机阻挡层交替设置且数量相同的所述硒氮化合物层。

8.如权利要求6或7所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，制备所述有机阻挡层过程中，蒸发速度为制得的所述有机阻挡层的厚度为200~300nm。

9.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述硒氮化物层的厚度为100~150nm。

10.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述空穴注入层的材质为MoO₃按照25wt%的掺杂浓度掺杂入N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺中组成的掺杂混合材料；

所述空穴传输层的材质为采用4,4',4″-三（咔唑-9-基）三苯胺；

所述发光层的材质为三（2-苯基吡啶）合铱按照5wt%的掺杂浓度掺杂入1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中组成的掺杂混合材料；

所述电子传输层的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉；

所述电子注入层的材质为CsN₃按照25wt%的掺杂浓度掺入4,7-二苯基-1,10-菲罗啉中组成的混合材料。