[发明专利]微波加热处理装置和处理方法无效
申请号: | 201210570812.0 | 申请日: | 2012-12-25 |
公开(公告)号: | CN103187270A | 公开(公告)日: | 2013-07-03 |
发明(设计)人: | 池田太郎;田中澄 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 微波 加热 处理 装置 方法 | ||
1.一种微波加热处理装置,其包括:
处理容器,其在内部具有微波发射空间,并且收纳被处理体;
支承部,其在所述处理容器内支承被处理体;和
微波导入装置,其生成用于对所述被处理体进行加热处理的微波并导入到所述处理容器,
所述微波加热处理装置的特征在于:
所述处理容器具有上壁、底壁和侧壁,并且所述侧壁的水平截面形状具有四个直线部分,
所述微波导入装置,具有作为多个微波源的第一至第四的微波源,
所述上壁具有将在所述第一至第四的微波源的各个中生成的所述微波导入到所述处理容器的第一至第四的微波导入口,
所述第一至第四的微波导入口各自在俯视时呈具有长边和短边的矩形,各个微波导入口,以其长边与所述四个直线部分中的至少一个直线部分平行的方式配置,
所述第一至第四的微波导入口设置于比被处理体更向外侧偏离的位置,使得与被所述支承部支承的被处理体在垂直方向上不重叠,并且在各个微波导入口的正下方,相对设置有使微波向被处理体的方向反射的倾斜部。
2.如权利要求1所述的微波加热处理装置,其特征在于:
所述第一至第四的微波导入口配置于互相改变90°角度的旋转位置,所述直线部分各自与所述第一至第四的微波导入口中的一个对应地设置。
3.如权利要求1或2所述的微波加热处理装置,其特征在于:
所述侧壁的水平截面形状包括所述四个直线部分和介于各直线部分之间的曲线部分。
4.如权利要求1或2所述的微波加热处理装置,其特征在于:
所述倾斜部以包围被处理体的方式设置于其周围。
5.如权利要求1或2所述的微波加热处理装置,其特征在于:
所述微波发射空间由所述上壁、所述侧壁和设置于所述上壁与所述底壁之间的分隔部划定,
所述倾斜部设置于所述分隔部。
6.如权利要求1或2所述的微波加热处理装置,其特征在于:
所述倾斜部,以所述被处理体的高度为基准位置,具有包括比该基准位置更上方的位置和更下方的位置的斜面。
7.一种处理方法,其利用微波加热处理装置对被处理体进行加热处理,该微波加热处理装置包括:
处理容器,其在内部具有微波发射空间,并且收纳被处理体;
支承部,其在所述处理容器内支承被处理体;和
微波导入装置,其生成用于对所述被处理体进行加热处理的微波并导入到所述处理容器,
所述处理方法的特征在于:
所述处理容器具有上壁、底壁和侧壁,并且所述侧壁的水平截面形状具有四个直线部分,
所述微波导入装置,具有作为所述多个微波源的第一至第四的微波源,
所述上壁具有将在所述第一至第四的微波源的各个中生成的所述微波导入到所述处理容器的第一至第四的微波导入口,
所述第一至第四的微波导入口各自在俯视时呈具有长边和短边的矩形,各个微波导入口,以其长边与所述四个直线部分中的至少一个直线部分平行的方式配置,
所述第一至第四的微波导入口设置于比被处理体更向外侧偏离的位置,使得与被所述支承部支承的被处理体在垂直方向上不重叠,并且在各个微波导入口的正下方,相对设置有使微波向被处理体的方向反射的倾斜部。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造