[发明专利]液晶显示器件及其制造方法

说明书

本申请要求于2012年2月27日提交的韩国专利申请No.10-2012-0019514的权益，在此通过引用将其并入本文，如同在这里完全阐述一样。

技术领域

本发明涉及一种液晶显示器件，更具体地，本发明涉及一种减少掩模工序并且去掉了光敏化合物（photo active compound,PAC）从而提高生产率的液晶显示器件及其制造方法。

背景技术

随着信息化社会的发展，对各种形式的显示器件需求增加。为了满足这一需求，近来已对液晶显示器（LCD）、等离子体显示面板（PDP）、电致发光显示器（ELD）和真空荧光显示器（VFD）之类的平板显示器件进行了研究。一些类型的这类平板显示器正被实际应用于各种设备以用于显示。

其中，因为LCD具有优异的图像质量、亮度，轻薄和低功耗的优点，所以作为阴极射线管（CRT）的替代品目前最广泛地用于移动图像显示器件中。正在对LCD的各种应用进行开发，不仅用作移动图像显示器件如笔记本电脑的监视器，而且作为接收广播信号和显示图像的TV和膝上型电脑的监视器。这种液晶显示器件包括设有薄膜晶体管阵列的第一基板，设有滤色器阵列的第二基板，以及在第一和第二基板之间形成的液晶层。第一基板包括由彼此交叉的栅极线和数据线限定的多个像素区，在分别提供有数据信号的各个像素区中形成的多个像素电极，和分别驱动像素电极的多个薄膜晶体管。此外，第二基板包括在每个像素区中形成的滤色器，防止漏光的黑矩阵，和保持第一基板与第二基板之间的间隙的柱形间隔物。

液晶显示器件最普遍采用的典型的驱动模式包括扭曲向列（TN）模式和面内切换模式，在扭曲向列（TN）模式中，液晶指向矢扭曲90°定向，然后受施加的电压控制；在面内切换模式中，通过基板上平行排列的像素电极和公共电极之间的水平电场驱动液晶。

特别地，在面内切换模式中，像素电极和公共电极是交替地形成在薄膜晶体管基板的开口中，由像素电极和公共电极之间产生的水平电场对液晶进行定向。面内切换模式LCD器件具有宽视角，但是存在低开口率和低透光率的缺点。为了解决这些缺点，提出了边缘场切换（FFS）模式LCD器件。

FFS模式液晶显示器件包括在像素区中形成的具有单一电极形状的公共电极，和在公共电极上形成的狭缝形的多个像素电极，或者包括具有单一电极形状的像素电极和狭缝形的多个公共电极，从而通过像素和公共电极之间形成的边缘场使液晶分子工作。

下文将参考附图来描述一种用于制造普通的边缘场切换模式液晶显示器件的方法。

图1是普通的边缘场切换模式液晶显示器件的截面图。图2A到2E是图示在图1的液晶显示器件中将漏极连接到像素电极的步骤的截面图。

参考图1，普通的边缘场切换模式液晶显示器件的制造方法包括利用第一掩模在第一基板10上形成栅极线（未示出），栅极10a，栅极焊盘下电极10b和数据焊盘下电极10c，利用第二掩模形成包括按顺序堆叠的有源层13a和欧姆接触层13b的半导体层13。该方法还包括利用第三掩模形成源极和漏极14a和14b，以及数据线DL，以及形成覆盖源极和漏极14a和14b的第一和第二保护膜15a和15b。

利用第四掩模选择性地去除第二保护膜15b，以暴露与漏极14b、栅极焊盘下电极10b和数据焊盘下电极10c对应的第一保护膜15a。此外，利用第五掩模在第二保护膜15b上形成公共电极18。将第三保护膜15c形成为覆盖公共电极18，利用第六掩模选择性地去除第三保护膜15c，以暴露与漏极14b、栅极焊盘下电极10b和数据焊盘下电极10c。

利用第七掩模在第三保护膜15c上形成与漏极14b连接的像素电极16a，与栅极焊盘下电极10b连接的栅极焊盘上电极16b，以及与数据焊盘下电极10c连接的数据焊盘上电极16c。尽管图中没有示出，在第二基板上形成有黑矩阵，R、G、B滤色器和柱形间隔物。为了执行这些步骤，总共采用12个掩模来形成普通的液晶显示器件。因此，整个工艺复杂而且制造成本增加。

同时，普通的液晶显示器件包括由光敏化合物（PAC）形成的第二保护膜15b，使第二保护膜15b夹在第一和第三保护膜15a和15c之间，以减小数据线DL和像素电极16a之间的数据负荷，从而降低功耗。在这一点上，一般来说由有机绝缘膜PAC形成的第二保护膜15b要比由无机绝缘膜形成的第一和第三保护膜15a和15c厚。由于这一原因，形成第二保护膜15b所需的时间要大于形成第一和第三保护膜15a和15c所需的时间，从而导致产量下降。