[发明专利]一种半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

步骤S101：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成硬掩膜；

步骤S102：在所述硬掩膜和半导体衬底中形成浅沟槽隔离；

步骤S103：在所述半导体衬底中形成超浅沟槽隔离以及位于其两侧的条状图案，所述步骤S103包括：

步骤S1031：去除所述硬掩膜位于所述半导体衬底上拟形成超浅沟槽隔离和条状图案的区域的部分；

步骤S1032：在所述硬掩膜被去除的区域形成牺牲层，所述牺牲层为依次嵌套的多层复合膜；

步骤S1033：刻蚀所述牺牲层和半导体衬底以在所述半导体衬底上形成超浅沟槽隔离沟槽和条状图案，其中，所述条状图案位于所述超浅沟槽隔离沟槽的两侧；

步骤S1034：在所述超浅沟槽隔离沟槽内填充超浅沟槽隔离材料并进行CMP，以形成超浅沟槽隔离。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述步骤S102包括：

步骤S1021：在所述硬掩膜和半导体衬底中形成浅沟槽隔离沟槽；

步骤S1022：在所述浅沟槽隔离沟槽内填充浅沟槽隔离材料并进行CMP，以在所述浅沟槽隔离沟槽内形成浅沟槽隔离。

3.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述浅沟槽隔离材料为氧化物。

4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，步骤S1031中去除所述硬掩膜的所采用的方法以及步骤S1033中所采用的刻蚀方法，均为干法刻蚀。

5.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S1031中，所述拟形成超浅沟槽隔离和条状图案的区域为有源区。

6.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述步骤S1032包括：

步骤S10321：在所述半导体衬底上依次沉积氮化硅层、无定形碳层、氧化物层；

步骤S10322：进行CMP，以形成所述嵌套的多层复合膜。

7.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在步骤S1032中形成的所述牺牲层的厚度为有源区总宽度的20％。

8.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述步骤S1033包括：

步骤S10331：刻蚀所述牺牲层以形成开口；

步骤S10332：利用所述牺牲层为掩膜对所述半导体衬底进行刻蚀，在所述半导体衬底上对应所述开口的位置形成超浅沟槽隔离沟槽，并在所述超浅沟槽隔离沟槽的两侧形成所述条状图案。

9.如权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述步骤S1033包括：

步骤S10331’：刻蚀所述牺牲层以在所述牺牲层上形成开口，其中，所述开口对应所述无定形碳层位于所述氧化物层的两侧的部分；

步骤S10332’：利用所述牺牲层为掩膜对所述半导体衬底进行刻蚀，在所述半导体衬底上对应所述开口的位置形成超浅沟槽隔离沟槽，并在所述超浅沟槽隔离沟槽的两侧形成所述条状图案。

10.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S103中形成的所述条状图案的宽度不小于所述半导体器件的栅极的长度。

11.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在步骤S101中所形成的硬掩膜的厚度为

12.如权利要求1至11任一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S103之后还包括步骤S104：在所述半导体衬底上形成栅极介电层和栅极。

13.如权利要求12所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述栅极介电层仅位于所述条状图案的上方。

14.如权利要求12所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S104之后还包括步骤S105：形成栅极侧壁以及源极和漏极。