[发明专利]放热构件、电子元件及电池有效
申请号: | 201210567426.6 | 申请日: | 2012-12-24 |
公开(公告)号: | CN103192571B | 公开(公告)日: | 2017-08-18 |
发明(设计)人: | 藤原武;岛村武生 | 申请(专利权)人: | 捷恩智株式会社 |
主分类号: | B32B27/08 | 分类号: | B32B27/08;C09J129/14;C09J11/04;C01B32/20 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 日本东京千代*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 放热 构件 电子元件 电池 | ||
技术领域
本发明涉及一种放热构件、电子元件及电池。
背景技术
藉由对高分子膜进行热处理而所得的石墨薄片(graphitesheet)显示出优异的导热性,因此作为导热体而使用(专利文献1)。
近年的电子机器随着高性能化、高功能化而发热量增大,因此要求于该机器中使用放热特性更优异的导热体。作为此种导热体,揭示了使用一种积层体的方法,所述积层体是藉由接着剂对石墨薄片与金属板进行接着而成(专利文献2~专利文献5)。
于所述专利文献3中记载了使用橡胶状弹性接着剂或者硅酮系导热性接着剂作为接着剂的方法;于所述专利文献4中记载了使用含有银、金、铜等导电性填料的接着剂的方法。而且,于所述专利文献5中记载了使用丙烯酸系接着剂的方法。
[现有技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本专利特开平11-21117号公报
[专利文献2]日本专利特开2001-144237号公报
[专利文献3]日本专利特开平10-247708号公报
[专利文献4]日本专利特开2004-23066号公报
[专利文献5]日本专利特开2009-280433号公报
发明内容
于现有的导热体(积层体)中,存在石墨薄片与金属板的接着强度差的情形。
而且,包含接着剂的层(接着层)通常导热率小,且随着该层的厚度变厚,所述积层体的积层方向的热阻变大。因此,要求使用厚度尽可能薄的接着层。
然而,所述专利文献中所记载的接着层由于石墨薄片与金属板的接着强度差,因此若不使接着层的厚度变厚,则存在无法获得可于电子机器等中使用的导热体的情形。该接着层厚的积层体特别是积层体的积层方向的热阻大,放热特性差。
本发明是鉴于此种问题点而成者,其目的在于提供具有金属层与石墨层的接着强度优异且厚度薄的接着层的放热构件。
本发明者为了解决所述课题而进行了锐意研究,结果发现藉由以下放热构件可解决所述课题,从而完成本发明,所述放热构件包含经由特定接着层而积层有金属层与石墨层的积层体。
[1]一种放热构件,其包含经由接着层而积层有金属层与石墨层的积层体,该接着层由包含聚乙烯缩醛树脂的组成物而形成。
[2]如[1]所述的放热构件,其中,所述组成物进一步包含导热性填料。
[3]如[1]或[2]所述的放热构件,其中,所述聚乙烯缩醛树脂包含下述结构单元A、结构单元B及结构单元C,
[化1]结构单元A
结构单元A中,R独立为氢或烷基[化2]结构单元B
[化3]结构单元C。
[4]如[3]所述的放热构件,其中,所述聚乙烯缩醛树脂进一步包含下述结构单元D,
[化4]结构单元D
结构单元D中,R1独立为氢或碳数为1~5的烷基。
[5]如[3]或[4]所述的放热构件,其中,所述结构单元A中的R为氢或碳数为1~3的烷基。
[6]如[1]~[5]中任一项所述的放热构件,其中,所述接着层的所述积层体的积层方向的导热率为0.05W/m·K~50W/m·K。
[7]如[1]~[6]中任一项所述的放热构件,其中,所述接着层的厚度为0.05μm~10μm。
[8]如[2]~[7]中任一项所述的放热构件,其中,所述接着层包含相对于接着层100vol%而言为1vol%~80vol%的导热性填料。
[9]如[2]~[8]中任一项所述的放热构件,其中,所述导热性填料包含选自由金属粉、金属氧化物粉、金属氮化物粉及金属碳化物粉所构成的群组的至少1种粉体。
[10]如[9]所述的放热构件,其中,所述导热性填料包含选自由氮化铝粉、氧化铝粉、氧化锌粉、氧化镁粉、碳化硅粉、碳化钨粉、铝粉及铜粉所构成的群组的至少1种粉体。
[11]如[9]或[10]所述的放热构件,其中,所述导热性填料的平均直径为0.001μm~30μm。
[12]如[2]~[8]中任一项所述的放热构件,其中,所述导热性填料是包含碳材料的填料。
[13]如[12]所述的放热构件,其中,所述导热性填料包含选自由石墨粉、碳纳米管及金刚石粉所构成的群组的至少1种粉体。
[14]如[1]~[13]中任一项所述的放热构件,其中,所述石墨层的相对于所述积层体的积层方向而言大致垂直方向的导热率为250W/m·K~2000W/m·K。
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