[发明专利]一种用于触摸屏的ITO膜及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种用于触摸屏的ITO膜及其制备方法，属于电子屏幕的技术领域。 

背景技术

ITO（Indium Tin Oxides，铟锡金属氧化物），作为一种典型的N型氧化物半导体被广泛地运用在手机、MP3、MP4、数码相机等领域。 

制备ITO镀膜的方法有很多，一般为ITO粉体通过气相沉积法将ITO沉积到玻璃、金属等基体表面，形成一薄膜层。 

发明内容

为了克服上述缺陷，本发明的目的在于提供一种有利于工业化、连续化生产的需要的用于触摸屏的ITO膜及其制备方法。 

为了实现上述目的，本发明采用如下技术方案： 

一种用于触摸屏的ITO膜，该膜包括透明基体和镀覆在所述透明基体上的膜层，所述膜层包括自透明基体上表面依次向上排列的底层、中间层和第一面层。

所述底层、中间层和第一面层均为单层结构。 

所述透明基体的厚度为50-188μm，所述透明基体为聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚亚胺。 

所述底层为SiO₂或Al₂O₃；所述中间层为Si₃N₄或Nb₂O₅；所述第一面层为ITO层。 

该方法包括在磁控溅射条件下，在磁控靶上施加电源使磁控靶材上的靶物质溅射并沉积到透明基体上，以在基体上形成膜层，所述膜层包括自透明基体上表面依次向上排列的底层、中间层和第一面层；形成如上所述膜层均在氩气、氮气和/或氧气气氛下进行。 

其中，在磁控溅射条件下，所述形成底层厚度为12-60nm，所述形成中间层厚度为7-10nm，所述形成第一面层厚度为18-29nm。 

所述磁控靶材为氧化铟锡靶材，成分为95wt%的氧化铟和5wt%的氧化锡。 

所述形成底层薄膜的溅射条件包括电源的功率为12-30kw，磁控溅射的真空度为9.0E-04--1.6E-03mbar，工作气体的流量为260—320sccm，溅射速率为0.8-1.4m/min。 

所述形成中间层薄膜的溅射条件包括电源的功率6-8kw，磁控溅射的真空度为1.2E-03—1.4E-03mbar，工作气体的流量为90—170sccm，溅射速率为0.8-1.4m/min。 

所述形成第一面层薄膜的溅射条件包括电源的功率为4.3—7kw，磁控溅射的真空度为2.0E-03—2.9E-03mbar，工作气体的流量为255—325sccm，溅射速率为0.8-1.4m/min。 

本发明的有益效果： 

本发明率先采用真空磁控溅射法制备柔性ITO薄膜，通过磁控溅射将ITO薄膜沉积在柔性基体上，再通过贴合等技术至基体上。由此方法制备的ITO薄膜不仅附着力好，性能优异，而且有利于工业化连续生产，大大提高了生产效率，为工业化生产的首选。 

附图说明

图1为本发明的结构示意图； 

图2为镀膜机装置示意图。

具体实施方式

下面结合附图1、2对本发明进行详细说明：一种用于触摸屏的ITO膜，该膜包括透明基体1和镀覆在所述透明基体上的膜层，所述膜层包括自透明基体1上表面依次向上排列的底层2、中间层3和第一面层4。 

所述底层2、中间层3和第一面层4均为单层结构。 

所述透明基体1的厚度为50-188μm，所述透明基体1为聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚亚胺。 

所述底层2为SiO₂或Al₂O₃；所述中间层3为Si₃N₄或Nb₂O₅；所述第一面层4为ITO层。 

该方法包括在磁控溅射条件下，在磁控靶上施加电源使磁控靶材上的靶物质溅射并沉积到透明基体1上，以在基体上形成膜层，所述膜层包括自透明基体1上表面依次向上排列的底层2、中间层3和第一面层4；形成如上所述膜层均在氩气、氮气和/或氧气气氛下进行。 

其中，在磁控溅射条件下，所述形成底层2厚度为12-60nm，所述形成中间层3厚度为7-10nm，所述形成第一面层4厚度为18-29nm。 

所述磁控靶材为氧化铟锡靶材，成分为95wt%的氧化铟和5wt%的氧化锡。