[发明专利]一种用于触摸屏的ITO膜及其制备方法

权利要求书

1.一种用于触摸屏的ITO膜，该膜包括透明基体（1）和镀覆在所述透明基体上的膜层，其特征在于：所述膜层包括自透明基体（1）上表面依次向上排列的底层（2）、中间层（3）和第一面层（4）。

2.根据权利要求1所述的用于触摸屏的ITO膜，其特征在于：所述底层（2）、中间层（3）和第一面层（4）均为单层结构。

3.根据权利要求1所述的用于触摸屏的ITO膜，其特征在于：所述透明基体（1）的厚度为50-188μm，所述透明基体（1）为聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚亚胺。

4.根据权利要求1所述的用于触摸屏的ITO膜，其特征在于：所述底层（2）为SiO₂或Al₂O₃；所述中间层（3）为Si₃N₄或Nb₂O₅；所述第一面层（4）为ITO层。

5.一种如权利要求1至4所述的用于触摸屏的ITO膜的制备方法，其特征在于：该方法包括在磁控溅射条件下，在磁控靶上施加电源使磁控靶材上的靶物质溅射并沉积到透明基体（1）上，以在基体上形成膜层，所述膜层包括自透明基体（1）上表面依次向上排列的底层（2）、中间层（3）和第一面层（4）；形成如上所述膜层均在氩气、氮气和/或氧气气氛下进行。

6.根据权利要求4所述的用于触摸屏的ITO膜的制备方法，其特征在于：其中，在磁控溅射条件下，所述形成底层（2）厚度为12-60nm，所述形成中间层（3）厚度为7-10nm，所述形成第一面层（4）厚度为18-29nm。

7.根据权利要求4所述的用于触摸屏的ITO膜的制备方法，其特征在于：所述磁控靶材为氧化铟锡靶材，成分为95wt%的氧化铟和5wt%的氧化锡。

8.根据权利要求4所述的用于触摸屏的ITO膜的制备方法，其特征在于：所述形成底层（2）薄膜的溅射条件包括电源的功率为12-30kw，磁控溅射的真空度为9.0E-04--1.6E-03mbar，工作气体的流量为260—320sccm，溅射速率为0.8-1.4m/min。

9.根据权利要求4所述的用于触摸屏的ITO膜的制备方法，其特征在于：所述形成中间层（3）薄膜的溅射条件包括电源的功率6-8kw，磁控溅射的真空度为1.2E-03—1.4E-03mbar，工作气体的流量为90—170sccm，溅射速率为0.8-1.4m/min。

10.根据权利要求4所述的用于触摸屏的ITO膜的制备方法，其特征在于：所述形成第一面层（4）薄膜的溅射条件包括电源的功率为4.3—7kw，磁控溅射的真空度为2.0E-03—2.9E-03mbar，工作气体的流量为255—325sccm，溅射速率为0.8-1.4m/min。