[发明专利]CMOS图像传感器的像素单元及CMOS图像传感器在审
| 申请号： | 201210564165.2 | 申请日： | 2012-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN103022067A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 饶金华;张克云 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 像素 单元 | ||
1.一种CMOS图像传感器的像素单元，其特征在于，包括：
用于将光信号转化为电信号的光电转换元件；
用于存储由所述光电转换元件所产生电荷的多个电荷存储元件，所述电荷存储元件彼此间相互并联；
用于接收来自相互并联的所述电荷存储元件的电荷的浮置扩散区；
每个所述光电转换元件与所述电荷存储元件之间设置有第一传输晶体管；
每个所述电荷存储元件与所述浮置扩散区之间设置有第二传输晶体管。
2.根据权利要求1所述的像素单元，其特征在于，所述电荷存储元件有两个。
3.根据权利要求2所述的像素单元，其特征在于，在所述光电转换元件前面还设置有用于对所述光电转换元件进行复位的第一复位晶体管，所述第一复位晶体管用于在所述光电转换元件每次接收光信号之前进行复位操作。
4.根据权利要求2所述的像素单元，其特征在于，在所述浮置扩散区后面还设置有用于对所述浮置扩散区进行复位的第二复位晶体管，所述第二复位晶体管用于在所述浮置扩散区每次接收来自所述电荷存储元件的电荷之前进行复位操作。
5.根据权利要求2所述的像素单元，其特征在于，所述光电转换元件为光电二极管。
6.根据权利要求2所述的像素单元，其特征在于，所述电荷存储元件为存储二极管。
7.根据权利要求2所述的像素单元，其特征在于，所述像素单元形成在半导体衬底上或者半导体衬底的外延层上。
8.一种CMOS图像传感器，其特征在于，包括如权利要求1至7中任意一项所述的像素单元。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
