[发明专利]无方向性抖动方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体领域，更具体地，本发明涉及一种无方向性抖动方法。

背景技术

半导体工业经历了指数增长。光刻清晰度持续提高以支持90纳米到65nm、45nm、32nm、22nm、16nm以及更多的临界尺寸(CD)。已经开发了光刻的新技术，诸如浸没式光刻、多重图案化、超紫外线光刻以及电子束光刻。新光刻技术产生的挑战不仅在于清晰度上还在于经济上(诸如，更新的成本和吞吐量的损失)。很多开发都集中在改进清晰度，同时减小工艺吞吐量的损失。然而，当前方法不在所有方面都满足。

发明内容

为了解决现有技术中所存在的问题，根据本发明的一个方面，提供了一种用在光刻工艺中的方法，包括：在图形数据库系统(GDS)网格中提供集成电路(IC)布局设计；将所述IC布局设计GDS网格转换成第一曝光网格；对所述第一曝光网格应用无方向性抖动技术；在对所述第一曝光网格应用抖动的同时，对所述第一曝光网格应用网格移位，以生成网格移位曝光网格；对所述网格移位曝光网格应用无方向性抖动；以及将所述第一曝光网格(在接受抖动之后)与所述网格移位曝光网格(在接受抖动之后)相加，以生成第二曝光网格。

在该方法中，所述第一曝光网格由像素的二维阵列形成，并且其中，所述像素尺寸被选择为大于所述IC布局设计网格的像素尺寸。

在该方法中，所述无方向性抖动包括沿着第一方向抖动。

在该方法中，所述无方向性抖动包括沿着第二方向抖动。

在该方法中，对第一曝光网格应用多个无方向性抖动。

在该方法中，对所述第一曝光网格应用Floyd-Steinberg抖动。

在该方法中，对所述第一曝光网格应用多个网格移位。

在该方法中，所述网格移位包括沿着第一方向移位。

在该方法中，所述网格移位包括沿着第二方向移位。

在该方法中，所述网格移位包括沿着两个方向移位。

在该方法中，所述网格移位的方向独立于抖动的方向。

根据本发明的另一方面，提供了一种用于提供修改后的曝光网格的方法，包括：在图形数据库系统(GDS)网格中提供集成电路(IC)布局设计；将所述IC布局设计GDS网格转换成第一曝光网格，并且使用针对灰度级的k位；抖动所述第一曝光网格，并且使用针对灰度级的少于k位；在抖动所述第一曝光网格的同时，对所述第一曝光网格应用网格移位，以生成网格移位曝光网格，并且使用针对灰度级的少于k位，并且对所述网格移位曝光网格应用抖动；以及将所述第一曝光网格(在接受抖动之后)与所述网格移位曝光网格(在接受抖动之后)相加，以生成修改后的曝光网格。

在该方法中，所述第一曝光网格(在接受抖动之后)使用针对灰度级的k-1位。

在该方法中，所述第一曝光网格的像素尺寸(在接受抖动之后)不大于所述第一曝光网格。

在该方法中，所述网格移位曝光网格(在接受抖动之后)使用针对灰度级的k-1位。

在该方法中，所述网格移位曝光网格(在接受抖动之后)的像素尺寸小于所述第一曝光网格。

在该方法中，所述修改后的曝光网格的像素尺寸小于所述第一曝光网格。

在该方法中，进一步包括：对所述第一曝光网格执行多个无方向性抖动。

在该方法中，进一步包括：对所述第一曝光网格执行多个网格移位。

根据本发明的又一方面，提供了一种提供在光刻工艺中使用的网格的方法，包括：在图形数据库系统(GDS)网格中提供具有像素坐标系的二维阵列中的多个多边形的集成电路(IC)布局设计；对所述IC布局设计GDS网格应用邻近校正处理；将所述IC布局设计GDS网格转换成具有像素坐标系统的二维阵列的多个多边形的第一曝光网格，使用大于所述IC布局设计GDS网格的像素尺寸，并且使用对于灰度级的k位；对所述第一曝光网格应用抖动，其中，所述第一曝光网格(在接受抖动之后)使用针对灰度级的少于k位；在对所述第一曝光网格应用抖动的同时，对所述第一曝光网格应用网格移位，其中，所述网格移位曝光网格使用针对灰度级的少于k位，并且对所述网格移位曝光网格应用抖动；以及将所述第一曝光网格(在接受抖动之后)与所述网格移位曝光网格(在接受抖动之后)相加，以生成第二曝光网格，其中，所述第二曝光网格包含与所述第一曝光网格相同或更少的数据量。

附图说明

当读取附图时，本发明将从以下详细说明最好地理解。需要强调的是，根据工业中的标准实践，多种部件不按比例绘制并且仅用于说明目的。事实上，为了论述清楚起见，多种部件可以任意增加或减小。