[发明专利]成型设备和用于成型的方法有效
申请号: | 201210560687.5 | 申请日: | 2012-12-21 |
公开(公告)号: | CN103177987A | 公开(公告)日: | 2013-06-26 |
发明(设计)人: | E.菲尔古特;J.赫格尔 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/56 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 王岳;李浩 |
地址: | 德国瑙伊比*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 成型 设备 用于 方法 | ||
1.一种成型设备,包括:
主腔;和
被与所述主腔连接的缓冲腔。
2.根据权利要求1所述的成型设备,进一步包括:
第一工具和第二工具,所述第一工具和第二工具之一能够移动以在它们之间形成所述主腔。
3.根据权利要求1所述的成型设备,进一步包括:
所述缓冲腔具有可变空间容积。
4.根据权利要求1所述的成型设备,进一步包括:
所述缓冲腔具有可移动边界壁。
5.根据权利要求4所述的成型设备,进一步包括:
所述可移动边界壁被作用于所述可移动边界壁上的力预加载从而减小所述缓冲腔的空间容积。
6.根据权利要求1所述的成型设备,进一步包括:
形成所述缓冲腔的边界壁的柱塞。
7.根据权利要求1所述的成型设备,进一步包括:
在所述主腔和所述缓冲腔之间的通道。
8.根据权利要求7所述的成型设备,进一步包括:
所述通道处于所述主腔的壁和从所述缓冲腔分离所述主腔的壁之间。
9.根据权利要求7所述的成型设备,进一步包括:
所述通道沿着从所述主腔的壁到从所述缓冲腔分离所述主腔的壁的方向包括在小于大约100μm的范围中的宽度。
10.根据权利要求9所述的成型设备,进一步包括:
所述通道包括在从大约10μm到大约50μm的范围中的宽度。
11.根据权利要求10所述的成型设备,进一步包括:
所述通道包括在从大约20μm到大约40μm的范围中的宽度。
12.根据权利要求1所述的成型设备,进一步包括:
被与所述主腔连接的两个或者更多缓冲腔。
13.根据权利要求1所述的成型设备,进一步包括:
所述主腔被配置为接收载体面板,特别地带有将被成型材料覆盖的多个装置的载体面板。
14.根据权利要求1所述的成型设备,进一步包括:
所述主腔具有圆形形状。
15.根据权利要求14所述的成型设备,进一步包括:
被布置在所述主腔的规则地隔开的角位置处的两个或者更多腔。
16.一种成型设备,包括:
第一工具和第二工具,所述第一工具和第二工具之一能够移动以在它们之间形成主腔;和
第一和第二工具之一的运动的端位置,其中所述主腔的端位置包括最小空间容积并且所述主腔通过通道连接到外部空间。
17.根据权利要求16所述的成型设备,进一步包括:
通过所述通道连接到所述主腔的缓冲腔。
18.根据权利要求17所述的成型设备,进一步包括:
所述缓冲腔具有可变空间容积。
19.根据权利要求16所述的成型设备,进一步包括:
所述通道沿着从所述主腔的壁到从所述外部空间分离所述主腔的壁的方向包括在小于大约100μm的范围中的宽度。
20.根据权利要求19所述的成型设备,进一步包括:
所述通道包括在从大约10μm到大约50μm的范围中的宽度。
21.根据权利要求20所述的成型设备,进一步包括:
所述通道包括在从大约20μm到大约40μm的范围中的宽度。
22.一种用于成型的方法,所述方法包括:
提供包括主腔和与所述主腔连接的缓冲腔的成型设备;
在所述主腔和/或所述缓冲腔中置放对象;
将成型材料填充到所述主腔中;和
利用所述成型材料封装所述对象从而所封装的对象包括预先限定的高度。
23.根据权利要求22所述的用于成型的方法,其中
所述对象包括带有多个装置的载体面板,并且
所述载体面板被所述成型材料覆盖直至所述载体面板被所述成型材料覆盖上至预先限定的高度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造