[发明专利]一种薄膜太阳能电池背反电极及其制备方法

权利要求书

1.一种薄膜太阳能电池背反电极，其特征在于：包括衬底，衬底表面沉积有金属薄膜，金属薄膜表面沉积有网格式的第一透明导电薄膜，第一透明导电薄膜上沉积有第二透明导电薄膜。

2.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池背反电极，其特征在于：所述的衬底为耐500℃高温的抛光的玻璃、单晶硅片、陶瓷片或金属。

3.根据权利要求1或2所述的薄膜太阳能电池背反电极，其特征在于：所述的金属薄膜为Ag薄膜、Cu薄膜或Al薄膜。

4.根据权利要求3所述的薄膜太阳能电池背反电极，其特征在于：所述的第一和第二透明导电薄膜为ATO导电薄膜、AZO导电薄膜或ITO导电薄膜。

5.根据权利要求4所述的薄膜太阳能电池背反电极，其特征在于：所述的金属薄膜厚度为60nm～400nm，第一透明导电薄膜厚度为20～200nm，网格间距为10μm～1000μm，第二透明导电薄膜的厚度为1nm～10nm。

6.一种薄膜太阳能电池背反电极的制备方法，其特征在于：包括以下步骤

（1）将洗净并使用高纯氮气吹干的衬底放置到磁控溅射生长室，采用磁控溅射技术在衬底上沉积一层连续的金属薄膜；

（2）将带有网格图形的金属掩膜固定在金属薄膜表面，并将其放置到磁控溅射生长室，利用磁控溅射技术在金属薄膜上沉积网格式的第一透明导电薄膜，然后去掉金属掩膜得到双叠层网格导电薄膜；

（3）将双叠层网格导电薄膜放置到磁控溅射生长室，利用磁控溅射技术在双叠层网格导电膜上沉积一层第二透明导电薄膜。

7.根据权利要求6所述的薄膜太阳能电池背反电极的制备方法，其特征在于：所述的步骤（1）中，溅射腔的本底真空度为5.0×10^-4Pa～8.0×10^-4Pa，衬底温度为25℃～500℃，溅射过程在低压高纯氩气中进行，气压保持在1Pa～2Pa，溅射功率为30W～50W，沉积时间为1min～10min；所述的步骤（2）中，溅射腔的本底真空度为5.0×10^-4Pa～8.0×10^-4Pa，衬底温度为25℃～500℃，溅射过程在低压高纯氩气中进行，气压保持在1Pa～2Pa，溅射功率为30W～50W，沉积时间为1min～20min；所述的步骤（3）中，溅射腔的本底真空度为5.0×10^-4Pa～8.0×10^-4Pa，衬底温度为25℃～500℃，溅射过程在低压高纯氩气中进行，气压保持在1Pa～2Pa，溅射功率为30W～50W，沉积时间为6s～30s。

8.根据权利要求7所述的薄膜太阳能电池背反电极的制备方法，其特征在于：所述的衬底为耐500℃高温的抛光的玻璃、单晶硅片、陶瓷片或金属；所述的金属薄膜为Ag薄膜、Cu薄膜或Al薄膜；所述的第一和第二透明导电薄膜为ATO导电薄膜、AZO导电薄膜或ITO导电薄膜。

9.根据权利要求8所述的薄膜太阳能电池背反电极的制备方法，其特征在于：所述的金属薄膜厚度为60nm～400nm，第一透明导电薄膜厚度为20～200nm，网格间距为10μm～1000μm，第二透明导电薄膜的厚度为1nm～10nm。