[发明专利]一种囊泡状介孔二氧化硅的合成方法有效
| 申请号： | 201210556813.X | 申请日： | 2012-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN103011182A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 周国伟;徐德兰;武翠翠;孙彬;张华勇 | 申请（专利权）人： | 山东轻工业学院 |
| 主分类号： | C01B33/18 | 分类号： | C01B33/18 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人： | 杨琪 |
| 地址： | 250353 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 囊泡状介孔 二氧化硅 合成 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种囊泡状介孔二氧化硅的合成方法，其特征是，包括步骤如下：
（1）按质量比SDS:CTAB:TEOS:H2O=1：2.2-2.4：15.5-16.0：100称取十六烷基三甲基溴化铵CTAB、十二烷基硫酸钠SDS、正硅酸乙酯TEOS、去离子水；
（2）将十二烷基硫酸钠和十六烷基三甲基溴化铵先后溶解在去离子水中形成白色溶液，搅拌2-3h后，在搅拌状态加入正硅酸乙酯，20–30℃继续搅拌24h，然后转移到聚四氟乙烯高压水热釜中在90–120℃条件下老化24h；
（3）将反应物抽滤、水洗、室温干燥，500-600℃的高温空气氛围中煅烧5-7h除去有机模板剂CTAB和SDS，得到的白色粉末状固体即目标产物。
2.根据权利要求1所述的一种囊泡状介孔二氧化硅的合成方法，其特征是，步骤（2）所述的搅拌速度在350-370rpm范围内。
3.根据权利要求1所述的一种囊泡状介孔二氧化硅的合成方法，其特征是：步骤（3）所述的煅烧所用仪器为DRZ-4型管式电阻炉，需要在500–600℃的温度范围内煅烧5-7h。
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