[发明专利]层叠陶瓷电子元器件有效
| 申请号： | 201210556639.9 | 申请日： | 2012-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN103177875A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木蓝;浦川淳 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H01G4/30 | 分类号： | H01G4/30;H01G4/008;H01G4/12 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 宋俊寅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 层叠 陶瓷 电子元器件 | ||
1.一种层叠陶瓷电子元器件，该层叠陶瓷电子元器件是将介电常数互不相同的至少两种陶瓷层层叠而形成的，其特征在于，
包括沿着介电常数互不相同的所述陶瓷层间的边界局部地配置的内部电极，
所述内部电极中含有与隔着该内部电极相邻的所述陶瓷层中的至少一方所包含的组分相同的添加组分。
2.如权利要求1所述的层叠陶瓷电子元器件，其特征在于，
所述添加组分与所述相邻的陶瓷层双方所包含的组分相同。
3.如权利要求1或2所述的层叠陶瓷电子元器件，其特征在于，
所述添加组分与所述陶瓷层所含陶瓷材料的主要组分相同。
4.如权利要求3所述的层叠陶瓷电子元器件，其特征在于，
所述添加组分与所述相邻的陶瓷层中、介电常数较高的陶瓷层所含陶瓷材料的主要组分相同。
5.如权利要求4所述的层叠陶瓷电子元器件，其特征在于，
所述介电常数较高的陶瓷层所含陶瓷材料的主要组分为Ba-Nd-Ti系氧化物，所述添加组分为Ba-Nd-Ti系氧化物。
6.如权利要求3所述的层叠陶瓷电子元器件，其特征在于，
所述添加组分与相邻的所述陶瓷层中、介电常数较低的陶瓷层所含陶瓷材料的主要组分相同。
7.如权利要求6所述的层叠陶瓷电子元器件，其特征在于，
所述介电常数较低的陶瓷层所含陶瓷材料的主要组分为镁橄榄石，所述添加组分为镁橄榄石。
8.如权利要求2所述的层叠陶瓷电子元器件，其特征在于，
所述添加组分与陶瓷材料以外的所述相邻的陶瓷层双方所包含的组分相同。
9.如权利要求1至8中任一项所述的层叠陶瓷电子元器件，其特征在于，
以金属材料为100重量份计，所述内部电极中还含有2～20重量份的所述添加组分。
10.如权利要求1至9中任一项所述的层叠陶瓷电子元器件，其特征在于，
沿着所述内部电极的两个主面，所述添加组分偏向存在。
11.如权利要求1至10中任一项所述的层叠陶瓷电子元器件，其特征在于，
所述内部电极包括隔着介电常数较高的所述陶瓷层而相对的内部电极，以构成电容器。
12.如权利要求1至11中任一项所述的层叠陶瓷电子元器件，其特征在于，
所述内部电极含有Cu以作为金属材料。
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