[发明专利]显示器及电子单元

说明书

技术领域

本公开涉及一种包括使用氧化物半导体的薄膜晶体管的显示器，且涉及一种包括该显示器的电子单元。

背景技术

在有源驱动液晶显示器或有源驱动有机EL显示器中，薄膜晶体管被用作驱动器件，并将与用于写入图像的信号电压对应的电荷保持在保持电容中。然而，若在薄膜晶体管的栅电极与源电极或漏电极之间的相交区域中产生的寄生电容增加，则信号电压会改变，从而导致图像质量恶化。

具体地，在有机EL显示器中，当寄生电容很大时，必须增加保持电容，并因此在像素布局中提高配线等的比例。结果，增大了配线等之间短路的可能性，从而降低产量。

因此，在现有技术中，对于将氧化物半导体（诸如氧化锌（ZnO）和氧化铟镓锌（IGZO））用于沟道的薄膜晶体管，已试图降低在栅电极与源电极或漏电极之间的相交区域中形成的寄生电容。

例如，在日本待审查专利申请公开第2007-220817号中以及在“Self-aligned top-gate amorphous gallium indium zinc oxide thin film transistors”,J.Park,et al.，Applied Physics Letters,American Institute of Physics,2008,Vol.93,053501中，公开了一种自对准顶栅薄膜晶体管，其中，栅电极与栅极绝缘膜被形成为在氧化物半导体薄膜层的沟道区上具有相同形状，且随后氧化物半导体薄膜层的未覆盖有栅电极和栅极绝缘膜的区域电阻减小以形成源区/漏区。另外，在“Improved Amorphous In-Ga-Zn-O TFTs”,R.Hayashi,et al.,SID 08 DIGES T,2008,42.1,p.621-624中，公开了一种具有自对准结构的底栅薄膜晶体管，其中，源区和漏区利用栅电极作为掩膜通过背面曝光形成在氧化物半导体膜上。

发明内容

在基板上设置的保持电容器中，连同使用氧化物半导体的晶体管一起，通过保持期望电容量来有意抑制图像质量恶化。

期望提供一种能够抑制图像质量恶化的显示器和电子单元。

根据本公开的一种实施方式，提供了一种显示器件，包括：显示元件；晶体管，其被配置为驱动显示元件，该晶体管包括沟道区；以及保持电容器。氧化物半导体膜被设置在横过晶体管和保持电容器的区域中，该氧化物半导体膜包括第一区域，其在晶体管的沟道区中形成；以及第二区域，其具有比第一区域的电阻更低的电阻。该第二区域在晶体管和保持电容器的除沟道区之外的区域中形成。

根据本公开的另一实施方式，提供了一种包括显示器件的电子设备。该显示器件包括显示元件；晶体管，其被配置为驱动显示元件，该晶体管包括沟道区；以及保持电容器。第一氧化物半导体膜形成在包括沟道区的晶体管和保持电容器的区域中，以及第二低电阻氧化物半导体膜形成在晶体管和保持电容器的除沟道区之外的区域中的第一氧化物半导体膜上。

根据本公开的另一实施方式，提供了一种制造显示器件的方法，该显示器件包括显示元件；晶体管，其被配置为驱动显示元件；以及保持电容器。该方法包括：在横过晶体管和保持电容器的区域中形成氧化物半导体膜，该氧化物半导体膜包括第一区域，其在晶体管的沟道区中形成；以及第二区域，其具有比第一区域的电阻更低的电阻，该第二区域在晶体管和保持电容器的除沟道区之外的区域中形成。

在根据本公开实施方式的显示器中，具有低于沟道区的电阻率的低电阻区部分或全部从除氧化物半导体膜的沟道区之外的区域表面起在厚度方向上进行设置。层间绝缘膜具有多层结构，该多层结构包括作为最接近低电阻区的层的无机绝缘膜。保持电容器具有作为一个电极的低电阻区以及作为另一电极的设置在无机绝缘膜对侧的导电膜，其间介有无机绝缘膜。结果，在保持电容器中，减小了取决于所施加电压的电容量变化，并因此维持了期望电容量。

根据本公开的一种实施方式，提供了一种具有显示器的电子单元。该显示器在基板上包括：共享氧化物半导体膜的晶体管和保持电容器；由晶体管驱动的显示器件；以及设置在显示器件与晶体管及保持电容器之间的层间绝缘膜。该氧化物半导体膜具有晶体管的沟道区，以及部分或全部从除沟道区之外的区域表面起在厚度方向上形成的低电阻区，该低电阻区具有比沟道区的电阻率更低的电阻率。层间绝缘膜具有多层结构，该多层结构包括作为最接近低电阻区的层的无机绝缘膜。保持电容器具有作为一个电极的低电阻区以及作为另一电极的导电膜，其间介有无机绝缘膜，该导电膜设置在无机绝缘膜的对侧。