[发明专利]优化接地绕组布局以提高噪声抑制性能的集成EMI滤波器有效
| 申请号： | 201210553671.1 | 申请日： | 2012-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN103236824A | 公开（公告）日： | 2013-08-07 |
| 发明（设计）人： | 黄惠芬;叶茂 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H03H9/46 | 分类号： | H03H9/46 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 蔡茂略 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 优化 接地 绕组 布局 提高 噪声 抑制 性能 集成 emi 滤波器 | ||
1.一种优化接地绕组布局以提高噪声抑制性能的集成EMI滤波器，包括E型磁芯、第一I型磁芯以及用于增大差模漏电感的第二I型磁芯，其特征在于，还包括两个相同结构的共模绕组单元，所述共模绕组单元对称设置在第二I型磁芯的两侧，所述共模绕组单元共分为五层，从上至下依次是上层共模电感导体层，低介电常数绝缘层，下层共模电感导体层，高介电常数电介质层，以及接地导体层。
2.根据权利要求1所述的优化接地绕组布局以提高噪声抑制性能的集成EMI滤波器，其特征在于，所述上层共模电感导体层、下层共模电感导体层、以及接地导体层均采用铜质螺旋绕组形式。
3.根据权利要求2所述的优化接地绕组布局以提高噪声抑制性能的集成EMI滤波器，其特征在于，铜质螺旋绕组相邻两线圈间距最小加工精度为0.5mm。
4.根据权利要求1或2所述的优化接地绕组布局以提高噪声抑制性能的集成EMI滤波器，其特征在于，所述上层共模电感导体层、下层共模电感导体层通过通孔于内部连接。
5.根据权利要求1所述的优化接地绕组布局以提高噪声抑制性能的集成EMI滤波器，其特征在于，所述低介电常数绝缘层为介电常数3.6的kapton薄膜。
6.根据权利要求5所述的优化接地绕组布局以提高噪声抑制性能的集成EMI滤波器，其特征在于，所述低介电常数绝缘层的厚度为0.05mm。
7.根据权利要求1所述的优化接地绕组布局以提高噪声抑制性能的集成EMI滤波器，其特征在于，所述高介电常数电介质层为相对介电常数84的陶瓷基片。
8.根据权利要求7所述的优化接地绕组布局以提高噪声抑制性能的集成EMI滤波器，其特征在于，所述高介电常数电介质层厚度为0.15mm。
9.根据权利要求1所述的优化接地绕组布局以提高噪声抑制性能的集成EMI滤波器，其特征在于，每个共模电感绕组的厚度为0.3mm，导体宽度为1.2mm，接地绕组的厚度为0.1mm。
10.根据权利要求1所述的优化接地绕组布局以提高噪声抑制性能的集成EMI滤波器，其特征在于，上层共模电感导体层与磁芯及其关于第二I型磁芯对称位置的共模电感导体层与磁芯之间用低介电常数介质kapton填充。
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