[发明专利]版图的DFM方法有效
| 申请号: | 201210552740.7 | 申请日: | 2012-12-18 |
| 公开(公告)号: | CN103871949A | 公开(公告)日: | 2014-06-18 |
| 发明(设计)人: | 王雷 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/70 | 分类号: | H01L21/70 |
| 代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 丁纪铁 |
| 地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 版图 dfm 方法 | ||
1.一种版图的DFM方法,其特征在于,DFM方法用于对设计版图进行DFM修正,所述设计版图包括多层版图,每一次DMF修正针对其中一层版图进行,该层版图为当前层版图,所述当前层版图的前一层版图为前层版图,且所述前层版图的第一图形会在硅片上形成台阶,所述DFM方法采用如下步骤对所述当前层版图进行DFM修正:
步骤一、对所述当前层版图和所述前层版图分别进行局部图形密度检查,得到所述当前层版图的局部图形密度分布和所述前层版图的局部图形密度分布;
步骤二、设定第一图形密度规格值,筛选出所述当前层版图和所述前层版图的局部图形密度都小于所述第一图形密度规格值的第一位置区域,在所述当前层版图的所述第一位置区域中填充冗余图形,该冗余图形由多个冗余图形块排列而成,所述冗余图形和所述前层版图的第一图形不重叠且相隔一段距离,所述冗余图形和所述当前层版图的第二图形不重叠且相隔一段距离;
步骤三、设定第二图形密度规格值,筛选出所述前层版图的局部图形密度小于所述第二图形密度规格值的第二位置区域,在所述当前层版图中选择出和所述前层版图的第二位置区域位置相同的第三位置区域,对所述当前层版图的位于所述第三位置区域中、且和所述前层版图的所述第一图形有交叠的的第二图形的关键尺寸进行调整;
步骤四、设定第三图形密度规格值、所述当前层版图的第二图形尺寸的尺寸最小规格值、所述当前层版图的第二图形和所述前层版图的第一图形之间的距离的距离最小规格值,筛选出所述前层版图的局部图形密度小于所述第三图形密度规格值的第四位置区域,在所述当前层版图中选择出和所述前层版图的第四位置区域位置相同的第五位置区域;在所述当前层版图的第五位置区域中筛选出图形关键尺寸小于所述尺寸最小规格值、且和所述第一图形之间没有交叠、且和所述第一图形之间的间隔小于所述距离最小规格值的第二图形,对所述第二图形的关键尺寸进行调整,对所述第二图形和所对应的所述前层版图的第一图形之间的间隔进行调整;
步骤五、对经过上述DFM修正后的所述当前层版图进行OPC修正。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于:步骤一中对版图进行的所述局部图形密度检查包括如下分步骤:
第11步、设定第一步进单元尺寸、第一单次步进值、图形密度最大规格值、相邻单元的图形密度差的图形密度差最大规格值;
第12步、沿X方向或Y方向对版图进行扫描,扫描单元的尺寸为所述第一步进单元尺寸,扫描单元之间的步进值为所述第一单次步进值,计算出版图的每个扫描单元的图形密度;
第13步、计算出版图的各两个相邻扫描单元的图形密度差;
第14步、筛选出图形密度大于所述图形密度最大规格值的扫描单元,以及筛选出图形密度差大于所述图形密度差最大规格值的各相邻扫描单元。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于:步骤二中填充所述冗余图形的方法包括如下分步骤:
第21步、设定所述冗余图形块的最小尺寸和最小间距;
第22步、筛选出所述当前层版图和所述前层版图的局部图形密度都小于所述第一图形密度规格值的所述第一位置区域;
第23步、将所述当前层版图的所述第一位置区域划分为能填充所述冗余图形块的第一子区域和不能填充所述冗余图形块的第二子区域;所述第二子区域的判断标准为:所述第二子区域由位于所述前层版图的第一图形边界向外延伸所述最小尺寸加所述最小间距的值所围成的区域一以及位于所述当前层版图的第二图形边界向外延伸所述最小尺寸加所述最小间距的值所围成的区域二的或运算得到;
第24步、以所述第二子区域的外部边界为起始,在所述第一子区域中沿着所述前层版图的第一图形或所述当前层版图的第二图形进行环状填充。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





