[发明专利]静电吸附装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体集成电路制造工艺设备，特别是涉及一种静电吸附装置。

背景技术

如图1所示，为传统的静电吸附装置剖面图，包括静电吸附盘11、隔绝环12、热边缘环(hot edge ring)13、硅片14及接地环15，其中静电吸附盘11的外周有一环形凹槽，隔绝环12设置在静电吸附盘11的环形凹槽上，热边缘环13设置在隔绝环12上方，接地环15与热边缘环13相连接，硅片14设置在静电吸附盘11的顶部，其中热边缘环13的高度比硅片14的高度低或相同，热边缘环13为石英材料。现有技术中对硅片的刻蚀一般为等离子刻蚀，但是由于硅片中心和边缘的电场分布不同，刻蚀时会造成硅片中心和边缘的刻蚀速率不一致，导致硅片表面均匀度不理想的现象。其中热边缘环13的俯视图如图2所示。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种静电吸附装置，能提高硅片表面均匀度。

为解决上述技术问题，本发明提供的一种静电吸附装置，包括静电吸附盘、隔绝环、热边缘环、硅片及接地环，其中静电吸附盘的外周有一环形凹槽，隔绝环设置在静电吸附盘的环形凹槽上，热边缘环设置在隔绝环上方，接地环与热边缘环相连接，硅片设置在静电吸附盘的顶部，硅片的边缘架设在热边缘环上，热边缘环的高度高于硅片的高度。

进一步的，所述热边缘环的高度为11.5毫米。

进一步的，所述热边缘环为碳化硅材质。

进一步的，所述热边缘环的外圈直径为215毫米，内圈直径为195毫米。

本发明的静电吸附装置，通过改变部件的部件尺寸和材质，使电场固定在硅片表面平均分布，避免产生电场分布不匀的现象，提高硅片工艺时表面均匀度缺陷。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：

图1是传统的静电吸附装置剖面图；

图2是热边缘环结构俯视图；

图3是本发明静电吸附装置剖面图；

图4是传统与本发明的静电吸附装置硅片表面均匀度数据对比图。

主要附图标记说明：

静电吸附盘11                    隔绝环12

热边缘环13                      硅片14

接地环15

静电吸附盘31                    隔绝环32

热边缘环33                      硅片34

接地环35

具体实施方式

为使贵审查员对本发明的目的、特征及功效能够有更进一步的了解与认识，以下配合附图详述如后。

如图3所示，为本发明静电吸附装置剖面图，如图所示，包括静电吸附盘31、隔绝环32、热边缘环(hot edge ring)33、硅片34及接地环35，其中静电吸附盘31的外周有一环形凹槽，隔绝环32设置在静电吸附盘31的环形凹槽上，热边缘环33设置在隔绝环32上方，接地环35与热边缘环33相连接，硅片34设置在静电吸附盘31的顶部，硅片34的边缘架设在热边缘环33上，其中与现有技术相比，提高热边缘环33的高度，使其高度高于硅片34的高度，使电场的分布集中在整个硅片34表面，类似一个罩子的作用，使电场固定在硅片34表面平均分布；避免产生电场分布不匀的现象。使硅片在刻蚀时提高它的均匀度从而提高硅片良品率。其中热边缘环33的高度优选为11.5毫米，外圈直径为215毫米，内圈直径为195毫米，材料为碳化硅材质。

如图4所示，是传统与本发明的静电吸附装置硅片表面均匀度数据对比图，其中线A左边为传统的静电吸附装置硅片表面均匀度数据，线A右边的为本发明的静电吸附装置硅片表面均匀度数据，从收集的数据可以看出从原来的表面均匀度7.3％左右，下降到现在的3.8％左右；改善表面均匀度3.5％，即明显提高了硅片表面均匀度。

以上通过具体实施例对本发明进行了详细的说明，但这些并非构成对本发明的限制。在不脱离本发明原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应视为本发明的保护范围。