[发明专利]具有槽型结构的应变NMOSFET及其制作方法

权利要求书

1.具有槽型结构的应变NMOSFET，包括源极、漏极、源区、漏区、栅氧化层、栅极、两个轻掺杂漏区、两个侧墙及半导体衬底，其特征在于，还包括分别设置在源区与漏区外延的两个槽型结构，所述槽型结构、源区、漏区、栅极及侧墙的上表面覆盖有一层压应变刻蚀阻挡层。

2.根据权利要求1所述具有槽型结构的应变NMOSFET，其特征在于，所述槽型结构的上表面到下表面的垂直距离至少为0.4μm。

3.根据权利要求1所述具有槽型结构的应变NMOSFET，其特征在于，所述槽型结构为矩形。

4.根据权利要求1所述具有槽型结构的应变NMOSFET，其特征在于，所述槽型结构为梯形或阶梯形，所述梯形或阶梯形的长边位于槽型结构的上表面。

5.根据权利要求1或2或3或4所述具有槽型结构的应变NMOSFET，其特征在于，所述压应变刻蚀阻挡层的厚度为10nm到600nm之间。

6.具有槽型结构的应变NMOSFET的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1、对半导体衬底进行P型掺杂；

步骤2、在半导体衬底上淀积一层氧化层；

步骤3、在氧化层上方淀积氮化物；

步骤4、在氮化物上方涂一层光刻胶，所述光刻胶的刻印图形涂于氮化物上方除预留的槽型结构外的地方；

步骤5、刻蚀掉没有光刻胶保护区域的氮化物、氧化层及半导体衬底从而形成槽型结构，并抛光去除光刻胶、氮化物和氧化层；

步骤6、离子注入确定两个有源区，两个有源区包括以后的源区、漏区及两个轻掺杂漏区的位置；

步骤7、在两个有源区之间的半导体衬底上生长栅氧化层，并在其上淀积栅材料，刻蚀形成栅电极，再形成侧墙；

步骤8、利用栅自对准工艺对有源区进行两次N型离子注入，分别形成两个轻掺杂漏区、源区及漏区；

步骤9、在整个器件及槽型结构上淀积一层本征压应变刻蚀阻挡层。

7.根据权利要求6所述具有槽型结构的应变NMOSFET的制作方法，其特征在于，步骤5中，所述刻蚀的深度为从半导体衬底上表面起向半导体衬底下方延伸至少0.4μm。

8.根据权利要求6所述具有槽型结构的应变NMOSFET的制作方法，其特征在于，步骤2中，所述氧化层的厚度为15nm。

9.根据权利要求6或7或8所述具有槽型结构的应变NMOSFET的制作方法，其特征在于，步骤9中，所述本征压应变刻蚀阻挡层的厚度为10nm到600nm之间。