[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包含：

一金属氧化物半导体层，包含：

一通道区，具有至少一第一区域以及一第二区域，该第一区域的氧空缺浓度大于该第二区域的氧空缺浓度，其中该第一区域被该第二区域围绕；以及

一源极区及一漏极区，分别位于该通道区的相对两侧；

一第一绝缘层，配置在该通道区上；

一第一栅极，配置在该第一绝缘层上，其中该第一栅极具有至少一第一开口，且该第一开口位于该第一区域上方；以及

一源极及一漏极，分别电性连接该源极区与该漏极区。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该通道区具有多数个该第一区域，且每一该第一区域是彼此分离。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，该第一栅极具有复数第一开口贯穿该第一栅极，且每一该第一开口位于该些第一区域的其中一者的上方。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，每一该第一开口的一上视轮廓相同于对应的该第一区域的一上视轮廓。

5.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，该第一绝缘层具有复数第二开口贯穿该第一绝缘层，且每一该第二开口对准该些第一开口的其中一者。

6.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，每一该第一区域的一宽度为1nm至1μm。

7.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，每一该第一区域的一上视轮廓具有一几何中心，且任两相邻的该第一区域的该几何中心之间的距离为51nm至1500nm。

8.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，任两相邻的该第一区域之间的一间距为50nm至500nm。

9.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，该通道区的该些第一区域的分布密度为1×10⁶个/mm²至1×10⁷个/mm²。

10.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该第一区域的氧空缺浓度对该第二区域的氧空缺浓度的比值为1.1至1.3。

11.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该金属氧化物半导体层包含铟镓锌氧化物。

12.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包含一第二栅极以及一第二绝缘层，其中该第二栅极与该第一栅极分别配置在该金属氧化物半导体层的相对两侧，且该第二绝缘层配置在该第二栅极与该金属氧化物半导体层之间。

13.根据权利要求12所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包含一基板，该第二栅极配置在该基板上，该第二绝缘层覆盖该第二栅极，该金属氧化物半导体层位于该第二绝缘层上。

14.根据权利要求12所述的薄膜晶体管，其特征在于，该第二栅极与该第一栅极在垂直该金属氧化物半导体层的方向上至少部分重叠。

15.根据权利要求12所述的薄膜晶体管，其特征在于，该第二栅极的一面积大于或等于该第一栅极的一面积。

16.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该第一开口的一上视轮廓相同于该第一区域的一上视轮廓。

17.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该第一绝缘层具有至少一第二开口贯穿该第一绝缘层，且该第二开口对准该第一开口。

18.一种制造薄膜晶体管的方法，其特征在于，包含：

(a)形成一金属氧化物半导体层于一基材上，该金属氧化物半导体层具有一初始氧空缺浓度；

(b)形成一第一绝缘层于该金属氧化物半导体层上；

(c)形成一第一图案化导电层于该第一绝缘层上，其中该第一图案化导电层具有至少一第一开口，且该第一开口在该基材的投影与该金属氧化物半导体层在该基材的投影重叠；

(d)以该第一图案化导电层为遮罩，处理该金属氧化物半导体层，以形成具有至少一第一区域的一通道区，且该第一区域的氧空缺浓度大于该初始氧空缺浓度；以及

(e)形成一源极和一漏极于该通道区的相对两侧。