[发明专利]一种用于锁相环的电荷泵电路无效

专利信息
申请号: 201210535135.9 申请日: 2012-12-12
公开(公告)号: CN103036423A 公开(公告)日: 2013-04-10
发明(设计)人: 方健;潘华;贾姚瑶;彭宜建;赵前利;程春云;李源 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H02M3/07 分类号: H02M3/07
代理公司: 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 代理人: 李顺德;王睿
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 锁相环 电荷 电路
【权利要求书】:

1.一种用于锁相环的电荷泵电路,包括充放电单元、第一运放单元(A1)、第二运放单元(A2)、第一电流镜单元和第二电流镜单元;

所述充放电单元的输出端分别与所述第一运放单元(A1)的负输入端和所述第二运放单元(A2)的负输入端相连接,所述第一电流镜单元的输出端与所述第一运放单元(A1)的正输入端相连,所述第二电流镜单元的输出端与所述第二运放单元(A2)的正输入端相连,所述第一运放单元(A1)的输出端分别与所述充放电单元的第一输入端和所述第一电流镜单元的输入端相连,所述第二运放单元(A2)的输出端分别与所述充放电单元的第二输入端和所述第二电流镜单元的输入端相连。

2.根据权利要求1所述的用于锁相环的电荷泵电路,其特征在于,所述充放电单元具体包括PMOS管M0和M2,NMOS管M4和M6,其中PMOS管M0的源极接电源电压VDC,PMOS管M0的漏极接PMOS管M 2的源极,PMOS管M2的漏极和NMOS管M4的漏极相连作为充放电单元的输出端与第一运放单元(A1)的负输入端相连,NMOS管M4的源极接NMOS管M6的漏极,NMOS管M6的源极接地GND,PMOS管M2的栅极作为充放电单元的第一输入端接第一运放单元(A1)的输出端,NMOS管M4的栅极作为充放电单元的第二输入端接第二运放单元(A2)的输出端,PMOS管M0的栅极和NMOS管M6的栅极分别接鉴频鉴相器的输出信号UP和DOWN;所述充放电单元的输出端与地之间连接有充放电电容Ccp

3.根据权利要求1所述的用于锁相环的电荷泵电路,其特征在于,第一电流镜单元具体包括PMOS管M1和M3,NMOS管M5和M7,其中PMOS管M1的源极接电源电压VDC,PMOS管M1的漏极接PMOS管M3的源极,PMOS管M3的漏极和NMOS管M5的漏极相连作为第一电流镜单元的输出端与第一运放单元(A1)的正输入端相连,NMOS管M5的源极接NMOS管M7的漏极,NMOS管M7的源极接地GND,PMOS管M3的栅极作为第一电流镜单元的输入端接第一运放单元(A1)的输出端,PMOS管M1的栅极接地GND,NMOS管M7的栅极接电源电压VDC。

4.根据权利要求1所述的用于锁相环的电荷泵电路,其特征在于,第二电流镜单元具体包括PMOS管M8和M9,NMOS管M10和M11,其中PMOS管M8的源极接电源电压VDC,PMOS管M8的漏极接PMOS管M9的源极,PMOS管M9的漏极和NMOS管M10的漏极相连作为第二电流镜单元的输出端与第二运放单元A2的正输入端相连,NMOS管M10的源极接NMOS管M11的漏极,NMOS管M11的源极接地GND,NMOS管M10的栅极作为第二电流镜单元的输入端接第二运放单元A2的输出端,PMOS管M9的栅极接外部偏置BIAS,PMOS管M8的栅极接地GND,NMOS管M11的栅极接电源电压VDC。

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