[发明专利]层压式陶瓷电子元件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201210532183.2 申请日: 2012-12-11
公开(公告)号: CN103578762B 公开(公告)日: 2018-05-04
发明(设计)人: 尹硕晛;李炳华;金昶勋;权祥勋 申请(专利权)人: 三星电机株式会社
主分类号: H01G4/30 分类号: H01G4/30;H01G4/12
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 代理人: 金光军,刘奕晴
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 层压 陶瓷 电子元件 及其 制造 方法
【说明书】:

相关申请的交叉引用

本申请要求在韩国知识产权局申请的申请号为10-2012-0079526、申请日为2012年7月20日的韩国专利申请的优先权,该韩国专利申请的全部内容在此通过引用合并于本申请。

技术领域

本发明涉及一种具有优异的防潮性能的高电容的层压式陶瓷电子元件及其制造方法。

背景技术

近来,由于电子产品已经小型化,因此对小型的、高电容的层压式陶瓷电子元件的需求增大。

因此,已经尝试通过多种方法对电介质材料和内电极进行薄型化并增加层压层数。目前,已经制造出具有薄型化的电介质层和增加的层压层数的层压式陶瓷电子元件。

另外,为了实现电介质层的薄型化,目前,已经制造出由包含有精细的陶瓷粉末的电介质层所形成的陶瓷电子部件。

另外,为了满足对小型化以及高电容需求的增加,作为非电容形成部分的覆盖层的厚度也减小。

由此引发了层压式陶瓷电子元件的防潮性能(humidity resistance characteristics)方面的问题,并因此产生层压式陶瓷电子元件的可靠性降低的问题。

另外,由于防潮性能的问题,可能导致层压式陶瓷电子元件的寿命缩短。

发明内容

本发明一方面提供一种具有优异的防潮性能的高电容的层叠式陶瓷电子元件,以及该层叠式陶瓷电子元件的制造方法。

根据本发明的一个方面,提供一种层压式陶瓷电子元件,该层压式陶瓷电子元件包括:陶瓷本体,该陶瓷本体包括电介质层;以及第一内电极和第二内电极,所述第一内电极和所述第二内电极彼此相对设置,在所述陶瓷本体中所述电介质层插入所述第一内电极和所述第二内电极之间;其中,所述陶瓷本体包括:活性层,该活性层是电容形成部分;以及覆盖层,该覆盖层是非电容形成部分,该覆盖层形成在所述活性层的顶面和底面中的至少一者上;并且,当所述陶瓷本体的厚度为t而所述覆盖层的厚度为T时,满足T≤t×0.05;当所述活性层中的电介质颗粒的平均粒径为Da而所述覆盖层中的电介质颗粒的平均粒径为Dc时,满足0.7≤Dc/Da≤1.5。

在所述覆盖层沿厚度方向分成三个相等部分的情形中,当所述三个相等部分中的最外层部分中的电介质颗粒的平均粒径为Dc1而所述三个相等部分中的中间层部分中的电介质颗粒的平均粒径为Dc2时,可以满足1.11≤Dc1/Dc2≤2.91。

Dc1和Dc2的比值可以满足1.56≤Dc1/Dc2≤2.63。

在所述覆盖层沿厚度方向分成三个相等部分的情形中,当所述三个相等部分中的最外层部分中的电介质颗粒的平均粒径为Dc1而所述三个相等部分中的底层部分中的电介质颗粒的平均粒径为Dc3时,可以满足1.13≤Dc1/Dc3≤4.88。

Dc1和Dc3的比值可以满足1.74≤Dc1/Dc3≤3.59。

根据本发明的另一方面,提供一种层压式陶瓷电子元件,该层压式陶瓷电子元件包括:陶瓷本体,该陶瓷本体包括电介质层;以及第一内电极和第二内电极,所述第一内电极和所述第二内电极彼此相对设置,在所述陶瓷本体中所述电介质层插入所述第一内电极和所述第二内电极之间;其中,所述陶瓷本体包括:活性层,该活性层是电容形成部分;以及覆盖层,该覆盖层是非电容形成部分,该覆盖层形成在所述活性层的顶面和底面中的至少一者上;并且,当所述陶瓷本体的厚度为t而所述覆盖层的厚度为T时,满足T≤t×0.05;并且在所述覆盖层分成三个相等部分的情形中,当所述三个相等部分中的最外层部分中的电介质颗粒的平均粒径为Dc1而所述三个相等部分中的中间层部分中的电介质颗粒的平均粒径为Dc2时,满足1.11≤Dc1/Dc2≤2.91。

Dc1和Dc2的比值可以满足1.56≤Dc1/Dc2≤2.63。

在所述覆盖层沿厚度方向分成三个相等部分的情形中,当所述三个相等部分中的底层部分中的电介质颗粒的平均粒径为Dc3时,可以满足1.13≤Dc1/Dc3≤4.88。

Dc1和Dc3的比值可以满足1.74≤Dc1/Dc3≤3.59。

Dc1和Dc2的比值可以满足1.56≤Dc1/Dc2≤2.63;并且在所述覆盖层沿厚度方向分成三个相等部分的情形中,当所述三个相等部分中的底层部分中的电介质颗粒的平均粒径为Dc3时,可以满足1.13≤Dc1/Dc3≤4.88。

当所述活性层中的电介质颗粒的平均粒径为Da而所述覆盖层中的电介质颗粒的平均粒径为Dc时,可以满足0.7≤Dc/Da≤1.5。

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