[发明专利]背照式CMOS影像传感器及其形成方法无效
| 申请号： | 201210525285.1 | 申请日： | 2012-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN102945852A | 公开（公告）日： | 2013-02-27 |
| 发明（设计）人： | 费孝爱;肖海波;洪齐元 | 申请（专利权）人： | 豪威科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201210 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 背照式 cmos 影像 传感器 及其 形成 方法 | ||
1.一种背照式CMOS影像传感器，其特征在于，包括：硅基底；形成于所述硅基底中的光电二极管及隔离结构，其中，所述光电二极管及隔离结构靠近所述硅基底的正面；形成于所述硅基底背面上的应力膜层。
2.如权利要求1所述的背照式CMOS影像传感器，其特征在于，在所述硅基底和应力膜层之间形成有氧化硅层。
3.如权利要求1或2所述的背照式CMOS影像传感器，其特征在于，当所述硅基底为N型硅基底时，所述应力膜层为拉应力膜层。
4.如权利要求3所述的背照式CMOS影像传感器，其特征在于，所述拉应力膜层经过了紫外线照射。
5.如权利要求1或2所述的背照式CMOS影像传感器，其特征在于，当所述硅基底为P型硅基底时，所述应力膜层为压应力膜层。
6.一种背照式CMOS影像传感器的形成方法，其特征在于，包括：
提供硅基底，所述硅基底中形成有光电二极管及隔离结构，其中，所述光电二极管及隔离结构靠近所述硅基底的正面；
在所述硅基底的背面上形成应力膜层。
7.如权利要求6所述的背照式CMOS影像传感器的形成方法，其特征在于，利用化学气相沉积工艺形成所述应力膜层。
8.如权利要求6所述的背照式CMOS影像传感器的形成方法，其特征在于，在所述硅基底的背面上形成应力膜层之前，还包括：
对所述硅基底执行热氧化工艺，以在所述硅基底的背面上形成氧化硅层。
9.如权利要求6至8中的任一项所述的背照式CMOS影像传感器的形成方法，其特征在于，当所述硅基底为N型硅基底时，所述应力膜层为拉应力膜层。
10.如权利要求9所述的背照式CMOS影像传感器的形成方法，其特征在于，在所述硅基底的背面上形成拉应力膜层之后，还包括：
对所述拉应力膜层执行紫外线照射工艺。
11.如权利要求6至8中的任一项所述的背照式CMOS影像传感器的形成方法，其特征在于，当所述硅基底为P型硅基底时，所述应力膜层为压应力膜层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
