[发明专利]一种低噪声放大器及其制造方法

权利要求书

1.一种低噪声放大器，包括电感及其他器件，所述电感包括第一电感和第二电感，所述第一电感、第二电感及其他器件分别形成在衬底的第一电感区域、第二电感区域及其他器件区域上，所述第一电感区域和第二电感区域下方均形成高阻衬底隔离区，其特征在于，所述衬底的第一电感区域和第二电感区域分开排布且被所述其他器件区域隔开；所述第一电感区域和第二电感区域的周围设置环状的第一n阱接地保护层，且所述第一n阱接地保护层环绕所述第一电感区域、第二电感区域及所述其他器件区域。

2.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述其他器件区域周围设置环状的第二n阱接地保护层。

3.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述高阻衬底隔离区环绕所述其他器件区域周围。

4.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述高阻衬底隔离区通过衬底高阻化技术形成。

5.根据权利要求4所述的低噪声放大器，其特征在于，所述衬底高阻化技术包括质子注入技术、微机电技术或衬底高阻氧化技术。

6.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述电感由顶层金属和次顶层金属绕制而成。

7.根据权利要求6所述的低噪声放大器，其特征在于，所述电感包括保护层，且所述电感上沉积钝化层。

8.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述其他器件包括MOS晶体管，负载电阻与跨接电容。

9.一种低噪声放大器的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

在衬底上形成第一电感区域、第二电感区域及其他器件区域，所述第一电感区域和第二电感区域分开排布且被所述其他器件区域隔开；以及

利用衬底高阻化技术，在所述第一电感区域和第二电感区域的下方形成高阻衬底隔离区；

在所述第一电感区域和第二电感区域周围设置环状的第一n阱接地保护层，所述第一n阱接地保护层环绕所述第一电感区域、第二电感区域及所述其他器件区域。

10.根据权利要求9所述的低噪声放大器的制造方法，其特征在于，还包括在所述其他器件区域周围设置环状的第二n阱接地保护层。

11.根据权利要求9所述的低噪声放大器的制造方法，其特征在于，所述高阻衬底隔离区环绕所述其他器件区域周围。

12.根据权利要求9所述的低噪声放大器的制造方法，其特征在于，所述衬底高阻化技术包括质子注入技术、微机电技术或衬底高阻氧化技术。