[发明专利]绝缘薄膜及其生产方法有效
申请号: | 201210511014.0 | 申请日: | 2012-12-03 |
公开(公告)号: | CN103854814B | 公开(公告)日: | 2018-09-21 |
发明(设计)人: | 廖洪传;克里斯·本森;梁勇;汤姆·卡尔森 | 申请(专利权)人: | 伊利诺斯工具制品有限公司 |
主分类号: | H01B17/60 | 分类号: | H01B17/60;H01B19/00;B32B27/32;B32B27/18;B29C47/56;B29C47/06 |
代理公司: | 上海脱颖律师事务所 31259 | 代理人: | 脱颖 |
地址: | 美国伊*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 绝缘 薄膜 及其 生产 方法 | ||
1.一种用于对电子器件绝缘的绝缘薄膜,其包括:
薄膜上层和薄膜下层,所述薄膜上层和所述薄膜下层由PP材料制成,所述薄膜上层和所述薄膜下层中含有无卤阻燃剂,以满足其阻燃性;和
薄膜中层,所述薄膜中层位于所述薄膜上层和所述薄膜下层之间,所述薄膜中层由PP材料制成,所述薄膜中层中不含有无卤阻燃剂或含有少量的无卤阻燃剂,使得所述薄膜中层具有不吸收水分的特性;
所述薄膜中层的上表面和所述薄膜上层的下表面粘结在一起,所述薄膜中层的下表面和所述薄膜下层的上表面粘结在一起,
其中,所述薄膜上层和所述薄膜下层中的所述无卤阻燃剂占所述薄膜上层或所述薄膜下层的质量的15%-50%,
其中,当所述薄膜中层含有少量的无卤阻燃剂时,所述薄膜中层中的所述无卤阻燃剂的质量小于所述薄膜中层的质量的25%,
其中,所述薄膜中层的厚度为所述绝缘薄膜总厚度的5%-25%,所述薄膜上层和所述薄膜下层的厚度之和为所述绝缘薄膜总厚度的75%-95%,并且
其中,所述绝缘薄膜使用共挤工艺、涂胶贴合工艺或热压贴合工艺加工而成。
2.如权利要求1所述的绝缘薄膜,所述薄膜上层和所述薄膜下层的材料相同。
3.如权利要求1所述的绝缘薄膜,其中所述薄膜上层和所述薄膜下层中的所述无卤阻燃剂包括含磷阻燃剂或含氮阻燃剂或含磷-氮阻燃剂或含硅阻燃剂。
4.如权利要求3所述的绝缘薄膜,其中所述薄膜上层和所述薄膜下层中的所述PP占所述薄膜上层或所述薄膜下层质量的50%-85%。
5.如权利要求1所述的绝缘薄膜,其中,当所述薄膜中层中含有少量无卤阻燃剂时,所述薄膜中层中的所述无卤阻燃剂包括含磷阻燃剂或含氮阻燃剂或含磷-氮阻燃剂或含硅阻燃剂。
6.如权利要求1所述的绝缘薄膜,当所述绝缘薄膜的厚度为0.4mm时,经90℃90%RH预处理96小时后,所述绝缘薄膜的击穿强度不小于20KVAC/mm。
7.如权利要求1所述的绝缘薄膜,按ASTM D2176-97a测试方法,所述绝缘薄膜的可折性不小于100次。
8.如权利要求1所述的绝缘薄膜,所述绝缘薄膜的总厚度范围为0.05mm-3.0mm。
9.一种生产绝缘薄膜的方法,所述绝缘薄膜用于对电子器件绝缘,所述方法包括:
在第一挤出机上,挤出无卤阻燃PP粒子使其熔化,熔融状态的无卤阻燃PP从第一挤出机流出后通过后续连接管道进入分配器,在所述分配器将从所述第一挤出机上挤出的所述熔融状态的无卤阻燃PP分成两股,分别为第一熔融无卤阻燃PP和第二熔融无卤阻燃PP;
在第二挤出机上挤出不含或含有少量无卤阻燃剂的PP粒子使其熔化,熔融状态的不含或含有少量无卤阻燃剂的PP从所述第二挤出机流出后通过后续连接管道进入所述分配器,所述熔融状态的不含或含有少量无卤阻燃剂的PP在所述分配器流入所述第一熔融无卤阻燃PP和所述第二熔融无卤阻燃PP之间;
所述第一熔融无卤阻燃PP、所述熔融状态的不含或含有少量无卤阻燃剂的PP和所述第二熔融无卤阻燃PP在所述分配器里叠合在一起,然后流出所述分配器,流经模头,进入冷却成型辊冷却成型为片/膜,所述片/膜具有由无卤阻燃PP材料制成的薄膜上层和薄膜下层以及由不含或含有少量无卤阻燃剂的PP材料制成的薄膜中层,
其中,所述薄膜上层和所述薄膜下层中的无卤阻燃剂占所述薄膜上层或所述薄膜下层的质量的15%-50%,
其中,当所述薄膜中层含有少量的无卤阻燃剂时,所述薄膜中层中的所述无卤阻燃剂的质量小于所述薄膜中层的质量的25%,并且
其中,所述薄膜中层的厚度为所述绝缘薄膜总厚度的5%-25%,所述薄膜上层和所述薄膜下层的厚度之和为所述绝缘薄膜总厚度的75%-95%。
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