[发明专利]蚀刻液、该蚀刻液的制造方法和使用该蚀刻液的蚀刻方法无效

专利信息
申请号: 201210506721.0 申请日: 2012-11-30
公开(公告)号: CN103132078A 公开(公告)日: 2013-06-05
发明(设计)人: 河野良;加藤胜 申请(专利权)人: 关东化学株式会社
主分类号: C23F1/16 分类号: C23F1/16;C23F1/18;C23F1/26
代理公司: 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 代理人: 蒋雅洁;孟桂超
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 蚀刻 制造 方法 使用
【权利要求书】:

1.一种蚀刻液,用于对至少一层Ti或Ti合金层或至少一层其他金属层构成的金属层压膜进行一并蚀刻,所述蚀刻液含有含氟酸或生成该含氟酸的氟化物,以及氟可配位的离子。

2.根据权利要求1所述的蚀刻液,其中,所述至少一层其他金属层为Cu层或Cu合金层构成的金属层压膜。

3.根据权利要求2所述的蚀刻液,其中,所述金属层压膜为Cu/Ti或Cu/Ti合金。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的蚀刻液,其中,所述含氟酸或生成该含氟酸的氟化物为选自由HF、NH4F、HBF4、H2SiF6、NaF、KF所组成的组中的一种或两种以上。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的蚀刻液,其中,所述氟可配位的离子为含有选自由Al、Ti、B、Si、Zr、Fe、Mn、Sn、Mo所组成的组中的元素的离子。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的蚀刻液,其中,所述蚀刻液进一步含有用于蚀刻Cu或Cu合金的氧化剂。

7.根据权利要求6所述的蚀刻液,其中,所述氧化剂为硝酸。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的蚀刻液,其中,所述蚀刻液进一步含有选自由H3PO4、H2SO4、AcOH、HClO4、HCl、MeSO3H所组成的组中的一种或两种以上的酸。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的蚀刻液,其中,所述蚀刻液进一步含有选自由含氟硅化物离子的化合物以及含硅的水溶性硅化合物所组成的组中的一种或两种以上的化合物。

10.一种制造权利要求1至9中任一项所述的蚀刻液的方法,所述方法通过将含氟酸或生成该含氟酸的氟化物与氟可配位的离子混合来制造权利要求1至9中任一项所述的蚀刻液。

11.一种蚀刻方法,所述蚀刻方法利用权利要求1至9中任一项所述的蚀刻液对Ti或Ti合金层与其他金属层构成的金属层压膜进行一并蚀刻。

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