[发明专利]含有量子阱结构的有机电致发光装置及其制备方法

权利要求书

1.一种含有量子阱结构的有机电致发光装置，包括依次层叠结合的透光衬底层、阳极层、有机功能层和阴极层，所述有机功能层包括空穴传输层和在外加电源的驱动下发光的发光层，所述空穴传输层层叠结合在所述阳极层与发光层之间，其特征在于：所述空穴传输层为量子阱结构，且以无机氧化物层为势阱，以有机空穴传输材料层为势垒，且有机空穴传输材料的HOMO能级高于无机氧化物的费米能级。

2.如权利要求1所述的含有量子阱结构的有机电致发光装置，其特征在于：所述有机空穴传输材料的HOMO能级与无机氧化物的费米能级的差值大于或等于0.2eV。

3.如权利要求1所述的含有量子阱结构的有机电致发光装置，其特征在于：所述有机空穴传输材料层的厚度为10～30nm，无机氧化物层的厚度为0.5～2nm。

4.如权利要求1所述的含有量子阱结构的有机电致发光装置，其特征在于：所述量子阱结构的周期为数为1～5。

5.如权利要求1～4任一项所述的含有量子阱结构的有机电致发光装置，其特征在于：所述无机氧化物为三氧化铼、七氧化二铼、氧化钨、氧化钼中的至少一种。

6.如权利要求1～4任一项所述的含有量子阱结构的有机电致发光装置，其特征在于：所述有机空穴传输材料为4,4',4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、4,4',4″-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺、(N,N,N',N’-四甲氧基苯基)-对二氨基联苯中的至少一种。

7.如权利要求1～4任一项所述的含有量子阱结构的有机电致发光装置，其特征在于：所述空穴传输层的厚度为10.5～120nm。

8.如权利要求1～7任一项所述的含有量子阱结构的有机电致发光装置制备方法，包括制备所述空穴传输层的步骤：

在真空镀膜系统中，在所述阳极层的与衬底层相结合面相对的表面依次交替蒸镀无机氧化物层和有机空穴传输材料层，制备所述空穴传输层。

9.如权利要求8所述的含有量子阱结构的有机电致发光装置制备方法，其特征在于，所述无机氧化物层的蒸镀速率为0.01～0.05nm/s。

10.如权利要求8或9所述的含有量子阱结构的有机电致发光装置制备方法，其特征在于，所述有机空穴传输材料层的蒸镀速率为0.1～1.0nm/s。