[发明专利]薄膜太阳电池吸收层的制备方法

权利要求书

1.薄膜太阳电池吸收层的制备方法，其特征在于：包括以下制备步骤：

步骤1、在柔性衬底上带有Mo背电极的一面向下置入真空室的蒸发腔内，柔性衬底的上方置有衬底加热装置，作为蒸发源的Cu、Ga、Se、In均匀分布在蒸发腔内Mo背电极下方的周边，作为蒸发源的NaF9置于蒸发腔内吸收层下面的中心处；Cu、Ga、Se、In和NaF蒸发源各自置于温度可控的加热装置中；柔性衬底与Cu、Ga、Se、In和NaF蒸发源之间均置有蒸发源挡板；

步骤2、通过真空泵将蒸发腔内抽真空至10-3Pa，衬底加热至450°C~500°C，Cu蒸发源加热到1200-1300°C、In蒸发源加热到800-1000°C、Ga蒸发源加热到900-1100°C、Se蒸发源加热到200-300°C，打开Cu、In、Ga、Se的蒸发源挡板，在Mo背电极上共蒸发Cu、In、Ga、Se元素制备厚度为1-5μm的吸收层；关闭Cu、In、Ga的蒸发源挡板；

步骤3、保持柔性衬底温度不变，NaF蒸发源加热到550°C~600°C，打开NaF上面的蒸发源挡板，NaF持续蒸发15~20min后关闭NaF上面的蒸发源挡板，停止NaF加热；

步骤4、柔性衬底在Se气氛下以20-30°C/min的速率降温，直至柔性衬底温度低于250°C后关闭Se的蒸发源挡板，停止通入Se蒸汽，待柔性衬底冷却至室温后取出，吸收层即形成后掺杂Na的吸收层。

2.根据权利要求1所述的薄膜太阳电池吸收层的制备方法，其特征在于：所述步骤1中温度可控的加热装置为内周围盘绕有加热电阻丝的氮化硼坩埚，坩埚外壁贴附有测量并控制加热温度的热偶。