[发明专利]晶圆刻蚀后的清洗方法

权利要求书

1.一种晶圆刻蚀后的清洗方法，其特征在于，包括：

提供晶圆；

在晶圆上形成介质层，所述介质层为疏水性，所述介质层的材料为低k材料或者超低k材料；

于所述介质层中形成贯穿其厚度的通孔；

进行氨气等离子体处理，所述氨气等离子体处理的气体为NH₃、He和Ar的混合气体，通过氨气等离子对低k或者超低k介质层表面进行处理时，氨气等离子不会影响低k或者超低k介质层的k值，且氨气等离子体中的氢键会附着于低k或者超低k介质层表面，使所述介质层的上表面以及通孔暴露出的介质层侧壁由疏水性转化为亲水性，使低k或者超低k介质层表面易于与清洗溶液接触，进而使残留于低k或者超低k介质层表面的聚合物和污染物随清洗溶液一起去除；

进行清洗工艺。

2.如权利要求1所述的晶圆刻蚀后的清洗方法，其特征在于，所述氨气等离子体处理的压强为5mTorr～200mTorr，电源功率为100W～1000W，时间为5s～60s，所述混合气体中NH₃的流量为10sccm～500sccm，He的流量为10sccm～200sccm，Ar的流量为10sccm～200sccm。

3.如权利要求1所述的晶圆刻蚀后的清洗方法，其特征在于，在所述晶圆上形成介质层之前，还包括：在晶圆上形成停止层。

4.如权利要求3所述的晶圆刻蚀后的清洗方法，其特征在于，所述停止层的材料为氮化硅。

5.如权利要求3所述的晶圆刻蚀后的清洗方法，其特征在于，在进行氨气等离子体处理之后，还包括：去除通孔底部的停止层。

6.如权利要求5所述的晶圆刻蚀后的清洗方法，其特征在于，去除通孔底部的停止层的方法为干法刻蚀。

7.如权利要求6所述的晶圆刻蚀后的清洗方法，其特征在于，所述干法刻蚀的压强为5mTorr～200mTorr，电源功率为100W～1000W，时间为5s～60s，气体为CH₄、CHF₃、CH₃F、He和Ar的混合气体，所述混合气体中CH₄的流量为10sccm～500sccm，CHF₃的流量为10sccm～200sccm，CH₃F的流量为10sccm～100sccm，He的流量为10sccm～200sccm，Ar的流量为10sccm～200sccm。

8.如权利要求1所述的晶圆刻蚀后的清洗方法，其特征在于,于所述介质层中形成贯穿其厚度的通孔包括：

在所述介质层上形成掩膜层，所述掩膜层中形成有与通孔形状对应的掩膜图形；

沿掩膜图形刻蚀所述介质层，形成贯穿所述介质层厚度的通孔，在形成通孔的同时去除介质层上部分厚度的掩膜层；

去除介质层上剩余的掩膜层。

9.如权利要求8所述的晶圆刻蚀后的清洗方法，其特征在于，所述掩膜层为单层结构，所述掩膜层的材料为光刻胶。

10.如权利要求8所述的晶圆刻蚀后的清洗方法，其特征在于，所述掩膜层为多层结构，位于介质层上的掩膜层由下至上依次包括图形膜层、介质层抗反射层和光刻胶层。

11.如权利要求10所述的晶圆刻蚀后的清洗方法，其特征在于，所述图形膜层的材料为无定形碳，所述介质层抗反射层的材料为氮化硅或者氮氧化硅。