[发明专利]一种检测抗生素培氟沙星的分子印迹传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种检测抗生素培氟沙星的分子印迹电化学传感器，其特征在于将对巯基苯胺、氯金酸、培氟沙星采用电镀的方法修饰到金电极表面，在将模板培氟沙星去除后，得到分子印迹传感器。 

2.根据权利要求1所述传感器，其特征在于，所述的金电极是指，直径为2mm且于Piranha溶液中浸泡15min后，分别用0.3μm、0.05μm的Al2O3抛光粉打磨后，在无水乙醇、超纯水中各超声5min的金电极。 

3.根据权利要求1所述传感器，所用金电极首先采用对巯基苯胺通过金巯键进行修饰。 

4.根据权利要求1所述传感器，经巯基苯胺修饰后的电极，将其插入10mmol/L培氟沙星溶液中，室温孵育2h。 

5.一种检测抗生素培氟沙星传感器的制备方法，其特征在于，将经培氟沙星修饰的电极，浸入含有10mmol/L对巯基苯胺，50mol/L四丁基高氯酸铵，10mol/L培氟沙星和0.2g/L高氯酸溶液中，在-0.3-1.2V，50mv/s，扫描10圈，之后将此电极在含有0.2mol/L的盐酸的甲醇水溶液中浸泡1h，以除去模板分子培氟沙星，从而制备成传感器。 

6.一种检测抗生素培氟沙星的传感器的制备方法，其特征在于，为证明所制备的分子印迹电化学传感器其空白对照的制备方法除不加模板分子培氟沙星以外，其他步骤与权利要求5所述的方法相同。 

7.一种权利要求1所述传感器的应用，其特征在于，包括以下步骤： 

1)待测样本滴于如权利要求1所述免疫传感器的工作电极表面，室温下孵育15min； 

2)电化学传感器置于电解池中，电解池的检测底液为含0.1mol/LKCl的2.5mmol的铁氰化钾缓冲液； 

3)设定适宜的扫描参数，进行循环伏安以及差分脉冲伏安法测定。