[发明专利]具有高导电率和耐电化学腐蚀的银合金反射薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种具有高导电率和耐电化学腐蚀的银合金反射薄膜，其特征在于：所述银合金薄膜(3)为非晶态银合金反射薄膜，在所述银合金反射薄膜(3)中含有0.0001～15份的稀土元素，其余为银元素，上述为质量份。 

2.根据权利要求1所述的银合金反射薄膜，其特征在于：所述银合金反射薄膜(3)中还加入有0.001～25份的铁、钴、镍、钨、锡、钯、金、铑、铱、钌中的一种或一种以上。 

3.根据权利要求2所述的银合金反射薄膜，其特征在于：所述银合金反射薄膜(3)中铁、钴、镍、钨、锡、钯、金、铑、铱或钌所占的质量份数为0.5～15份。 

4.根据权利要求1所述的银合金反射薄膜，其特征在于：所述稀土元素为镧、铈、镨、钕、钷、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥，镱、镥、钪中的一种或一种以上。 

5.根据权利要求4所述的银合金反射薄膜，其特征在于：所述银合金反射薄膜(3)中稀土元素所占的质量份数为0.05～2份。 

6.根据权利要求1至5中任一所述的银合金反射薄膜，其特征在于：所述银合金反射薄膜(3)的厚度为1nm～1000nm。 

7.一种权利要求1或2所述的银合金反射薄膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤： 

以玻璃片为基片(1)，以铬、铝、钛、二氧化硅、镍或铁作为过渡层(2)，将纯度为99.99％的银元素，纯度为99.5％份质量组份为0.0001～15份的稀土元素混合，通过真空合金熔炼制成所需的靶材，然后在过渡层上镀制上一层非晶态银合金反射薄膜，即完成银合金反射薄膜(3)的制备过程； 

当上述的银合金反射薄膜(3)还加入有0.001～25份的铁、钴、镍、钨、锡、钯、金、铑、铱、钌中的一种或一种以上的元素时，按纯度为99.99％的铬、硅、铝、钛、铁、钴、镍、钨、锡、钯、金、铑、铱、钌中的一种或一种以上的元素，与纯度为99.99％的银元素，纯度为99.5％份质量组份为0.0001～15份的稀土元素混合，再通过真空合金熔炼制成所需的靶材，然后在过渡层(2)上镀制上一层非晶态银合金反射薄膜，即完成银合金反射薄膜(3)的制备过程；上述为质量百分比。 

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于：所述过渡层(2)的厚度控制为2nm～500nm。 

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于：所述过渡层(2)的材料为铬、铁、镍及二氧化硅中的一种。 

10.根据权利要求7至9中任一所述的制备方法，其特征在于：所述镀制为：真空蒸镀、磁控溅射镀、离子溅射镀、化学气相沉积镀、电镀及化学镀中的一种即可。