[发明专利]一种长尺寸检测磁传感器及其制作方法在审

专利信息
申请号: 201210480611.1 申请日: 2012-11-23
公开(公告)号: CN103839321A 公开(公告)日: 2014-06-04
发明(设计)人: 时启猛;刘乐杰;曲炳郡 申请(专利权)人: 北京嘉岳同乐极电子有限公司
主分类号: G07D7/04 分类号: G07D7/04
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100083 北京市海淀区*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 尺寸 检测 传感器 及其 制作方法
【说明书】:

发明提供一种长尺寸检测磁传感器及其制作方法。长尺寸检测磁传感器包括至少一个检测单元和支撑所述检测单元的印制电路板,所述检测单元包括至少一组芯片组,每组所述芯片组包括至少三片短磁传感器芯片,每组所述芯片组内的所述短磁传感器芯片横向顺序排列。该长尺寸检测磁传感器成本低,而且还具有结构简单、体积小、厚度薄、灵敏度高等优点,符合现代社会对磁传感器的微型化,集成化,低功耗及高性能的要求。

技术领域

本发明属于磁传感器技术领域,具体涉及一种用于检测长尺寸磁标记的检测磁传感器及其制作方法。

背景技术

磁传感器是利用敏感单元对磁场、电流、应力应变、温度、光等变化引起的磁变化起敏感作用的特性,通过敏感单元捕捉被测器件的磁变化,然后将磁变化转变为电信号,测量电信号即可辨别被测器件的大小。磁传感器被广泛应用于航空、航天、微电子,地质探矿、医学成像、信息采集以及金融及军事等领域。

传统的磁传感器采用线圈作为磁敏单元,这种以线圈为磁敏单元的磁传感器存在体积大、灵敏度低、难以集成、响应慢、分辨率低,稳定性、可靠性和抗干扰能力差等缺陷。传统的线圈式磁传感器已越来越不能适应金融业发展的要求。为此,相关技术人员开发了薄膜磁传感器,即以磁传感器芯片作为磁敏单元,磁传感器芯片包括由磁感应膜构成的惠斯通电桥电路,通过惠斯通电桥电路获得磁信号。这种薄膜磁传感器具有体积小、厚度薄、灵敏度高等特点,符合现代社会对磁传感器的微型化、集成化、低功耗及高性能等诸多发展要求。

然而,随着防伪技术的发展,为了增强金融币种或票据的防伪能力,防伪标识的长度不断增加,而且防伪标识的分布范围越来越广,这大大提高了检测仿伪标识的难度。虽然可以通过增加磁感应膜的长度来扩大磁感应传感器的检测范围,但是,受晶圆密度的限制,磁感应膜的长度的增加又会降低磁传感器芯片成品率,增加磁传感器芯片的制造成本。

发明内容

本发明要解决的技术问题就是针对现有技术中存在的上述缺陷,提供一种长尺寸检测磁传感器及其制作方法,其不仅检测范围大,而且制造成本低。

为此,本发明提供一种长尺寸检测磁传感器,包括至少一个检测单元和支撑所述检测单元的印制电路板,所述检测单元包括至少一组芯片组,每组所述芯片组包括至少三片短磁传感器芯片,而且,同一芯片组内的所述短磁传感器芯片横向顺序排列,在同一所述芯片组内,相邻两个所述短磁传感器芯片的磁感应膜横向交叉设置并形成无缝排列。

其中,所述芯片组内和/或芯片组与芯片组之间的所述短磁传感器芯片串联或并联成惠斯通电桥电路。

其中,所述检测单元包括M组芯片组,所述M个芯片组纵向并行排列,其中,M为大于或等于2的整数。

其中,每组所述芯片组包括N片短磁传感器芯片,每片所述短磁传感器芯片包括两条磁敏感膜,其中,第n-1片短磁传感器芯片的第一条磁敏感膜的尾端与第n片短磁传感器芯片内的第一条磁敏感膜的首端电连接,第n片短磁传感器芯片内的第一条磁敏感膜的尾端与第n+1片短磁传感器芯片内的第一条磁敏感膜的首端电连接,第n-1片短磁传感器芯片的第二条磁敏感膜的尾端与第n片短磁传感器芯片内的第二条磁敏感膜的首端电连接,第n片短磁传感器芯片内的第二条磁敏感膜的尾端与第n+1片短磁传感器芯片内的第二条磁敏感膜的首端电连接,而且,第n-1片短磁传感器芯片的第一条磁敏感膜的首端接Vcc,第n-1片短磁传感器芯片的第二条磁敏感膜的首端接地,第n+1片短磁传感器芯片的第一条磁敏感膜的尾端与n+1片短磁传感器芯片的第二条磁敏感膜的尾端电连接,并接Vout;2≤n的整数。

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