[发明专利]一种长尺寸检测磁传感器及其制作方法

权利要求书

1.一种长尺寸检测磁传感器，包括至少一个检测单元和支撑所述检测单元的印制电路板，其特征在于，所述检测单元包括M组芯片组，所述M组芯片组纵向并行排列设置，每组所述芯片组包括至少三片短磁传感器芯片，而且,同一芯片组内的所述短磁传感器芯片横向顺序排列,在同一所述芯片组内，相邻两个所述短磁传感器芯片的磁感应膜横向交叉设置并形成无缝排列，所述芯片组内和/或芯片组与芯片组之间的所述短磁传感器芯片串联或并联成惠斯通电桥电路，其中，M为大于或等于2的整数。

2.根据权利要求1所述的长尺寸检测磁传感器，其特征在于，每组所述芯片组包括N片短磁传感器芯片，每片所述短磁传感器芯片包括两条磁敏感膜，其中，第n-1片短磁传感器芯片的第一条磁敏感膜的尾端与第n片短磁传感器芯片内的第一条磁敏感膜的首端电连接，第n片短磁传感器芯片内的第一条磁敏感膜的尾端与第n+1片短磁传感器芯片内的第一条磁敏感膜的首端电连接，第n-1片短磁传感器芯片的第二条磁敏感膜的尾端与第n片短磁传感器芯片内的第二条磁敏感膜的首端电连接，第n片短磁传感器芯片内的第二条磁敏感膜的尾端与第n+1片短磁传感器芯片内的第二条磁敏感膜的首端电连接,而且，第n-1片短磁传感器芯片的第一条磁敏感膜的首端接Vcc,第n-1片短磁传感器芯片的第二条磁敏感膜的首端接地,第n+1片短磁传感器芯片的第一条磁敏感膜的尾端与n+1片短磁传感器芯片的第二条磁敏感膜的尾端电连接,并接Vout；2≤n的整数。

3.根据权利要求1所述的长尺寸检测磁传感器，其特征在于，每组所述芯片组包括M片短磁传感器芯片，每片所述短磁传感器芯片包括两条磁敏感膜，其中，第m-1短磁传感器芯片内的第一条磁敏感膜的首端、第m短磁传感器芯片内的第一条磁敏感膜的首端和第m+1短磁传感器芯片内的第一条磁敏感膜的首端电连接并共同接Vcc，第m-1短磁传感器芯片内的第一条磁敏感膜的尾端、第m短磁传感器芯片内的第一条磁敏感膜的尾端和第m+1短磁传感器芯片内的第一条磁敏感膜的尾端交汇电连接形成公共节点A，第m-1短磁传感器芯片内的第二条磁敏感膜的尾端、第m短磁传感器芯片内的第二条磁敏感膜的尾端和第m+1短磁传感器芯片内的第二条磁敏感膜的尾端交汇电连接形成公共节点B，公共节点A和公共节点B共同接Vout，第m-1短磁传感器芯片内的第二条磁敏感膜的首端、第m短磁传感器芯片内的第二条磁敏感膜的首端和第m+1短磁传感器芯片内的第二条磁敏感膜的首端电连接并共同接地，2≤m的整数。

4.根据权利要求1所述的长尺寸检测磁传感器，其特征在于，所述短磁传感器芯片的磁感应膜的长度小于或等于3.3mm。

5.根据权利要求1所述的长尺寸检测磁传感器，其特征在于，在同一所述芯片组内，所述短磁传感器芯片相互平行设置并使得所述短磁传感器芯片的磁感应膜位于同一平面内。

6.根据权利要求1所述的长尺寸检测磁传感器，其特征在于，每个检测单元对应一个独立输出通道。

7.根据权利要求1所述的长尺寸检测磁传感器，其特征在于，所述短磁传感器芯片包括至少两条彼此平行且钉扎方向相同或相反的磁感应膜、焊盘以及导线，通过所述焊盘和导线将所述磁感应膜电连接形成惠斯通电桥电路。

8.根据权利要求7所述的长尺寸检测磁传感器，其特征在于，所述磁感应膜为巨磁阻磁感应膜、各向异性磁阻磁感应膜、隧穿效应磁阻磁感应膜、巨磁阻抗效应磁阻磁感应膜或霍尔效应膜。

9.根据权利要求7所述的长尺寸检测磁传感器，其特征在于，还包括焊针，所述焊针固定于所述印制电路板，并与所述印制电路板上的导电线路电连接。

10.根据权利要求1所述的长尺寸检测磁传感器，其特征在于，还包括屏蔽外壳，所述印制电路板设置于所述屏蔽外壳内，并使所述芯片组与设置在所述屏蔽外壳上的导磁孔相对。