[发明专利]芯片电性侦测装置及其形成方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种芯片检测装置的技术，尤其是指一种具有补强结构设计的一种芯片电性侦测装置及其形成方法。

背景技术

半导体芯片完成的前，必须经过多道检测程序以确保质量。其中的一检测项目即是为了验证半导体芯片内部的各精密电子组件间的电性连接是否确实以及功能是否符合验收规格。

一般而言，半导体芯片进行测试时，测试机必须通过具有探针模块(probeneedle)的芯片电性侦测装置来接触待测芯片，并凭借信号传输以及电性信号分析，以获得待测物的测试结果。探针模块通常包含若干个尺寸精密的探针相互排列而成，每一个探针通常会对应芯片上特定的电性接点，当探针接触待测物上的对应电性接点时，可以确实传递来自测试机的测试信号。

请参阅图1所示，该图是现有的电性侦测装置示意图。该芯片电性侦测装置1包括有一电路基板10、一转换基板11以及一探针模块12。该电路基板10其上具有复数个第一导电体100，其分别与该转换基板11上表面上的第二导电体110电性连接。该转换基板11的下表面具有复数个第三导电体111，其分别与该探针模块12所具有的复数个探针120电性连接。凭借上述的结构，探针模块12利用探针120与晶圆13上的芯片130所具有的电性接点131电性连接，以接收电信号。电信号再经由转换基板11传递至电路基板10。电路基板10内的电路101再将信号传给测试机，以对芯片130的电性进行分析。

在前述的技术中，市面上的转换基板11是由半导体制造的封装制程所制造而成的，为了降低制造的成本，转换基板11的厚度有愈来愈薄的趋势。再者，探针120为了配合待测芯片130的电性接点131分布，必须在对应待测芯片130具有电性接点131的面积中布设大量的探针。在转换基板11变薄以及探针120集中在对应待测芯片130电性接点131的小面积范围内的影响下，探针120与转换基板11电性接触时，探针模块12的复数个探针120所产生的作用力施加于转换基板11上时，会导致转换基板11对应探针120的位置上承受极大的压力而变形，严重者更可能导的转换基板11破裂，进而影响侦测的结果。

发明内容

本发明提供一种芯片电性侦测装置及其形成方法，其凭借设置于电路基板与转换基板之间的补强结构，提供强化转换基板结构的效果，避免在电性侦测时，与待测芯片电性接触的探针所产生的作用力施加于转换基板上时，由于压力过大而导致转换基板变形或者是破裂。

为实现上述目的，本发明采用的技术方案包括：

一种芯片电性侦测装置，其特征在于，包括：

一基板；

一转换基板，其具有一第一表面以及与该第一表面相对应的第二表面，该第一表面上具有复数个第一导电体，该复数个第一导电体分别与该基板相耦接，该第二表面上具有复数个第二导电体；

一探针模块，其具有复数个探针，该复数个探针分别与该复数个第二导电体电性连接；以及

一补强结构，其设置于该转换基板与该基板之间。

所述的芯片电性侦测装置，其中：该补强结构具有一板体结构以及复数个贯穿该板体结构的通孔，使得每一个通孔内容置有至少一第一导电体。

所述的芯片电性侦测装置，其中：板体结构与该基板相应的区域上，还具有复数个凸部以形成复数个排气通道，该复数个凸部接抵该基板，在该基板与该转换基板回焊连接时，提供排气。

所述的芯片电性侦测装置，其中：该板体结构的通孔孔径等于该排气通道宽度。

所述的芯片电性侦测装置，其中：该复数个凸部还形成一第一排气通道及一第二排气通道，该第一排气通道与该第二排气通道相互交叉。

所述的芯片电性侦测装置，其中：该通孔水平截面积大于该第一导电体水平截面积。

所述的芯片电性侦测装置，其中：该排气通道的高度小于或等于该板体结构厚度的二分之一。

所述的芯片电性侦测装置，其中：该板体结构与该转换基板相应的区域上，更具有复数个凸部以形成复数个排气通道，该复数个凸部接抵该转换基板，在该基板与该转换基板回焊连接时，提供排气。

所述的芯片电性侦测装置，其中：该基板是一电路基板，具有复数个第三导电体，该复数个第三导电体分别与该复数个第一导电体相连接。

所述的芯片电性侦测装置，其中：该补强结构的面积小于或等于该复数个第二导电体外围所围成的面积。

所述的芯片电性侦测装置，其中，该基板还包括有：

一电路基板，其表面上具有复数个第三导电体；以及