[发明专利]磁传感器子层中的变化形态有效
申请号: | 201210478643.8 | 申请日: | 2012-09-21 |
公开(公告)号: | CN103065644A | 公开(公告)日: | 2013-04-24 |
发明(设计)人: | M·W·科温顿;M·T·凯夫;丁元俊 | 申请(专利权)人: | 希捷科技有限公司 |
主分类号: | G11B5/265 | 分类号: | G11B5/265 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 毛力 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 传感器 中的 变化 形态 | ||
概要
磁传感器可以构建有具有预定第一形态的去耦层。磁性自由层可被沉积为接触地邻近去耦层,并且该磁性自由层被配置有具有预定第二形态的至少第一子层。
附图简要说明
图1是示例数据存储装置的透视图。
图2A和2B示出了能够用于不同实施例的示例磁传感器的不同视图。
图3显示了根据不同实施例所构造和操作的示例磁传感器的一部分。
图4绘制了不同磁传感器实施例的操作特性。
图5描绘了根据不同实施例来调整的磁传感器的操作特性。
图6概括地说明了能够用于不同实施例的示例磁传感器的一部分。
图7提供了根据本发明不同实施例执行的传感器制造例程的流程图。
详细说明
为了满足对更大的数据容量和更快的数据传输率的加剧的产业需求,一般公开了一种具有变化形态的增强型数据检测性能的磁传感器。增加的数据容量可以对应于各种数据存储部件(,例如读取元件和屏蔽元件)的减小的外形规格。这种较小的磁部件可能具有磁稳定难题,特别是可以满足高线性数据密度应用中的精确屏蔽-对-屏蔽间隔标准。因此,在产业中,对可以保持读取元件的磁性取向和灵敏度以提高数据检测性能的减小规格的磁传感器的构建存在增长的需求。
这样的产业需求可以通过构建如下的磁传感器得到满足,该磁传感器具有接触地邻近磁性自由层的去耦层,磁性自由层具有第一和第二子层,第一和第二子层各自的形态不同于去耦层形态。可变形态的使用可以对被钉扎的偏置磁化影响的磁性叠层的操作磁化提供提高的控制。特别是在减小的外形规格的磁传感器中,调节不同形态以提高磁化控制的能力可以通过减小磁化不对称性来增强数据检测,同时提高磁稳定性和数据信号幅值。
在图1中,概要地提供了在非限制性环境中的数据存储装置100的实施例的部件分解图,在该非限制性环境中可以实施本发明的不同实施例。装置100包括基本密封的外壳102,其由底板104和顶盖106形成。内置的主轴马达108被配置为旋转多个磁存储介质110。通过相应的数据换能器阵列(读/写头)来存取该介质110,数据换能器阵列中的每一个都由磁头悬浮组件(HGA)112支承。
每个HGA 112可以由包括柔性悬浮件116的磁头组组件114(“致动器”)所支承,这样,柔性悬浮件116进而由刚性的致动器臂118所支承。通过施加电流给音圈马达(VCM)122,该致动器114可以围绕芯座轴承组件120枢转。通过这种方式,VCM 122的受控操作使得换能器(以数字124表示)与在介质表面定义的轨道(未示出)对准,以在其上存储数据或从其上检索数据。
图2A和2B分别示出了能够用于不同实施例的示例磁传感器130的框图表示的截面图和顶视图。传感器130可以由位于空气轴承表面134(ABS)和后偏置磁体136之间的磁性叠层132所构成。图2A说明了磁性叠层132如何被配置有由非磁间隔层140所隔开的一对磁性自由层138。每个磁性自由层138的磁灵敏度可以通过去耦层142得到缓和,去耦层142可抑制磁干扰到达该自由层138或从自由层138扩散至邻近部件,诸如磁屏蔽。
在存在磁性自由层138,但在磁性叠层132中不存在固定磁化作为参考,该叠层132可以被特征化为三层读取元件,归因于双自由层138和间隔层140。这样的三层读取元件可以利用后偏置磁体136以在自由层138上施加磁偏置力并且设置默认磁化,这允许在磁性叠层132不存在被钉扎磁化的情况下对通过ABS 134的数据比特的精确检测。当三层读取元件被显示在磁性叠层132中时,叠层132的构建并不限定于这样的结构并且可以是任意数量和类型的、具有任意可磁化响应的磁性取向的层的叠片。
在可以包括或可以不包括三层读取元件的不同的实施例中,磁传感器130可被调节为以预定的性能特征(例如,信号幅值和不对称性)来操作,以在最小化传感器130的屏蔽-对-屏蔽间距(SSS)144的同时检测数据比特。通过调整叠层132和偏置磁铁136的尺寸和磁化,可以进一步调节该磁传感器130,如图2B的顶视图中所示的。
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