[发明专利]磁传感器子层中的变化形态

权利要求书

1.一种设备，包括：

具有第一形态的去耦层；和

接触地邻近去耦层的磁性自由层，该磁性自由层被配置为具有至少第一子层，该第一子层具有第二形态和第二子层，这些子层分别具有第二和第三形态。

2.根据权利要求1所述的设备，其中该去耦层具有第一厚度，并且第一和第二子层分别具有第二和第三厚度。

3.根据权利要求2所述的设备，其中第二和第三厚度具有相同的值。

4.根据权利要求2所述的设备，其中第二和第三厚度具有不同的值。

5.根据权利要求2所述的设备，其中第三厚度比第二厚度大三倍。

6.根据权利要求1所述的设备，其中去耦层是钽。

7.根据权利要求1所述的设备，其中去耦层是MgO。

8.根据权利要求1所述的设备，其中第一和第二子层都是CoFeB合金。

9.根据权利要求1所述的设备，其中第二形态实质上为零。

10.根据权利要求1所述的设备，其中第三形态基本上在交叉轨迹方向上穿过第二子层，该交叉轨迹方向基本平行于磁性自由层的空气轴承表面。

11.一种方法，包括；

使用静态倾斜沉积从第一角度来沉积去耦层，以引起第一形态；

使用物理汽相沉积在去耦层上构建第一磁性自由子层，以引起第二形态。

12.根据权利要求11所述的方法，其中第一角度不同于第二角度。

13.根据权利要求11所述的方法，其中第一和第二角度相对于基底平面，基底平面垂直于每个磁性自由层的空气轴承表面。

14.根据权利要求11所述的方法，进一步包括退火处理第一和第二磁性子层以将至少第三形态移位一预定角度取向。

15.一种传感器，包括通过偏置磁铁偏置到预定默认磁化的磁响应叠层，该磁响应叠层具有由非磁性间隔层所隔开的至少第一和第二磁性自由层，至少一个磁性自由层接触地邻近具有第一形态的去耦层，至少一个磁性自由层具有第一和第二子层，第一和第二子层分别配置有第二和第三形态。

16.根据权利要求15所述的传感器，其中由非磁性间隔层所隔开的至少第一和第二磁性自由层的被表征为三层磁性元件。

17.根据权利要求15所述的传感器，其中该第三形态被调节以对应于第一和第二磁性自由层之间的预定隧道型磁阻比率。

18.根据权利要求15所述的传感器，其中偏置磁体被形成在具有第四形态的种子层上。

19.根据权利要求18所述的传感器，其中偏置磁体被配置有至少两个偏置子层，每个偏置子层都具有不同的形态。

20.根据权利要求18所述的传感器，其中偏置磁体被配置有不同于第四形态的第五形态。