[发明专利]一种表面处理方法有效

专利信息
申请号: 201210472646.0 申请日: 2012-11-20
公开(公告)号: CN103066004A 公开(公告)日: 2013-04-24
发明(设计)人: 王向华;熊贤风;邱龙臻;刘则 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L21/70 分类号: H01L21/70;B41M5/00
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 表面 处理 方法
【权利要求书】:

1.一种表面处理方法,其特征在于,包括:对形成有至少两种衬底图案的基板表面进行至少一次自组装单分子层表面处理,以及一次紫外臭氧清洗表面处理,以使得不同衬底图案的表面能之差变大或变小。

2.根据权利要求1所述的表面处理方法,其特征在于,所述自组装单分子层表面处理具体包括:

在容置空间的第一位置处加入待形成单分子层的材料或含待形成单分子层的材料的溶液,并将所述形成有至少两种衬底图案的基板置于容置空间内的第二位置处,以使得所述待形成单分子层的材料在所述衬底图案表面形成单分子层。

3.根据权利要求2所述的表面处理方法,其特征在于,还包括:

在容置空间的第一位置处加入待形成单分子层的材料或含待形成单分子层的材料的溶液之前,向容置空间持续通入惰性气体,以排出容置空间内的空气;

在将所述形成有至少两种衬底图案的基板置于容置空间内的第二位置处之后,封闭所述容置空间并停止通入惰性气体;

抽气一定时间,以使得所述待形成单分子层的材料在所述衬底图案表面形成单分子层;

再缓慢通入惰性气体,使容置空间与外界的压强平衡。

4.根据权利要求2所述的表面处理方法,其特征在于,所述待形成单分子层的材料为含氟的疏水硅烷、含氟的硫酚或具有烷基链结构的疏水硅烷。

5.根据权利要求1所述的表面处理方法,其特征在于,所述自组装单分子层表面处理具体包括:

将一定浓度的溶液加入到反应容器中,所述溶液包括待形成单分子层的材料和有机溶剂;

将所述形成有至少两种衬底图案的基板放入上述含待形成单分子层的材料和有机溶剂的溶液中,浸泡一定时间,以使得所述待形成单分子层的材料在所述衬底图案表面形成单分子层。

6.根据权利要求5所述的表面处理方法,其特征在于,还包括:在无氧的环境中,至少将所述待形成单分子层的材料和有机溶剂混合,配制成溶液。

7.根据权利要求5所述的表面处理方法,其特征在于,在将一定浓度的溶液加入到反应容器之前,还包括:向反应容器中持续通入惰性气体,以排出反应容器中的空气;

在将所述形成有至少两种衬底图案的基板放入包括待形成单分子层的材料的溶液之后,还包括:封闭反应容器。

8.根据权利要求6所述的表面处理方法,其特征在于,所述待形成单分子层的材料为含氟的硫酚、烷基硫醇或具有烷基链结构的疏水硅烷。

9.根据权利要求1-8任一项所述的表面处理方法,其特征在于,所述自组装单分子层表面处理为两次以上,其中,该两次以上的自组装单分子层表面处理中每次使用的待形成单分子层的材料不同。

10.根据权利要求1所述的表面处理方法,其特征在于,所述紫外臭氧清洗表面处理,根据对衬底图案表面能的要求,对应调节所述紫外臭氧清洗的时间。

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