[发明专利]一种表面处理方法有效
| 申请号: | 201210472646.0 | 申请日: | 2012-11-20 |
| 公开(公告)号: | CN103066004A | 公开(公告)日: | 2013-04-24 |
| 发明(设计)人: | 王向华;熊贤风;邱龙臻;刘则 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/70 | 分类号: | H01L21/70;B41M5/00 |
| 代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 表面 处理 方法 | ||
1.一种表面处理方法,其特征在于,包括:对形成有至少两种衬底图案的基板表面进行至少一次自组装单分子层表面处理,以及一次紫外臭氧清洗表面处理,以使得不同衬底图案的表面能之差变大或变小。
2.根据权利要求1所述的表面处理方法,其特征在于,所述自组装单分子层表面处理具体包括:
在容置空间的第一位置处加入待形成单分子层的材料或含待形成单分子层的材料的溶液,并将所述形成有至少两种衬底图案的基板置于容置空间内的第二位置处,以使得所述待形成单分子层的材料在所述衬底图案表面形成单分子层。
3.根据权利要求2所述的表面处理方法,其特征在于,还包括:
在容置空间的第一位置处加入待形成单分子层的材料或含待形成单分子层的材料的溶液之前,向容置空间持续通入惰性气体,以排出容置空间内的空气;
在将所述形成有至少两种衬底图案的基板置于容置空间内的第二位置处之后,封闭所述容置空间并停止通入惰性气体;
抽气一定时间,以使得所述待形成单分子层的材料在所述衬底图案表面形成单分子层;
再缓慢通入惰性气体,使容置空间与外界的压强平衡。
4.根据权利要求2所述的表面处理方法,其特征在于,所述待形成单分子层的材料为含氟的疏水硅烷、含氟的硫酚或具有烷基链结构的疏水硅烷。
5.根据权利要求1所述的表面处理方法,其特征在于,所述自组装单分子层表面处理具体包括:
将一定浓度的溶液加入到反应容器中,所述溶液包括待形成单分子层的材料和有机溶剂;
将所述形成有至少两种衬底图案的基板放入上述含待形成单分子层的材料和有机溶剂的溶液中,浸泡一定时间,以使得所述待形成单分子层的材料在所述衬底图案表面形成单分子层。
6.根据权利要求5所述的表面处理方法,其特征在于,还包括:在无氧的环境中,至少将所述待形成单分子层的材料和有机溶剂混合,配制成溶液。
7.根据权利要求5所述的表面处理方法,其特征在于,在将一定浓度的溶液加入到反应容器之前,还包括:向反应容器中持续通入惰性气体,以排出反应容器中的空气;
在将所述形成有至少两种衬底图案的基板放入包括待形成单分子层的材料的溶液之后,还包括:封闭反应容器。
8.根据权利要求6所述的表面处理方法,其特征在于,所述待形成单分子层的材料为含氟的硫酚、烷基硫醇或具有烷基链结构的疏水硅烷。
9.根据权利要求1-8任一项所述的表面处理方法,其特征在于,所述自组装单分子层表面处理为两次以上,其中,该两次以上的自组装单分子层表面处理中每次使用的待形成单分子层的材料不同。
10.根据权利要求1所述的表面处理方法,其特征在于,所述紫外臭氧清洗表面处理,根据对衬底图案表面能的要求,对应调节所述紫外臭氧清洗的时间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





