[发明专利]一种磁化学生成低膨胀系数铝基复合材料的制备方法无效
申请号: | 201210470325.7 | 申请日: | 2012-11-20 |
公开(公告)号: | CN102994822A | 公开(公告)日: | 2013-03-27 |
发明(设计)人: | 焦雷;赵玉涛;李惠;于艳伶;吴岳;王晓路 | 申请(专利权)人: | 江苏大学 |
主分类号: | C22C21/02 | 分类号: | C22C21/02;C22C1/02;C22C32/00 |
代理公司: | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人: | 卢亚丽 |
地址: | 212013 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 磁化 生成 膨胀系数 复合材料 制备 方法 | ||
1.一种磁化学生成低膨胀系数铝基复合材料,其特征在于通过下述方法制得:在高硅铝合金熔体中,置入按摩尔比例1:2预配制好的K2TiF6粉和KBF4粉,通过低频旋转磁场下的原位反应在高硅铝合金熔体中分别生成二元的增强颗粒Al3Ti和TiB2,其中Al3Ti和TiB2总质量分数为合金的20%-30%。
2.一种磁化学生成低膨胀系数铝基复合材料的制备方法,其特征在于:该方法包括下述步骤:
(1)将K2TiF6粉和KBF4粉按摩尔比例1:2备好待用;
(2)将高硅铝合金熔融;
(3)将K2TiF6粉和KBF4粉按粉按摩尔比例1:2置于高硅铝合金熔体中,进行原位反应;
(4)立即使用低频旋转磁场对反应熔体进行处理;
(5)将处理后熔体浇铸模具内,获得该低膨胀系数铝基复合材料。
3. 根据权利要求2所述的方法,其特征在于:所述高硅铝合金是Al-(20%-50%)Si合金。
4. 根据权利要求2所述的方法,其特征在于:K2TiF6粉和KBF4粉摩尔比例1:2。
5.根据权利要求2所述的方法,其特征在于:步骤3中熔体原位反应温度850℃ -870℃。
6.根据权利要求2所述的方法,其特征在于:步骤4使用低频旋转磁场对反应熔体进行处理;控制励磁电流200-220A、频率3-5Hz,作用时间3min-5min。
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