[发明专利]一种晶体硅太阳能电池多层二氧化硅减反射膜

权利要求书

1.一种晶体硅太阳能电池多层二氧化硅减反射膜，其特征是，包括沉积在硅基衬底(1)上的至少三层二氧化硅薄膜，所述的各层氧化硅薄膜的折射率从下往上依次减小，且顶层折射率小于2。

2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池多层二氧化硅减反射膜，其特征是，所述二氧化硅薄膜共三层，包括沉积在硅基衬底(1)表面的折射率为2.2-2.3的致密层二氧化硅薄膜(2)，沉积在致密层二氧化硅薄膜(2)上的折射率为2-2.1的中间层二氧化硅薄膜(3)，沉积在中间层二氧化硅薄膜(3)上的折射率为1.9-2的稀疏层二氧化硅薄膜(4)。

3.根据权利要求2所述的晶体硅太阳能电池多层二氧化硅减反射膜，其特征是，所述的三层二氧化硅薄膜的厚度之和为70-80nm。

4.根据权利要求2所述的晶体硅太阳能电池多层二氧化硅减反射膜，其特征是，所述的致密层二氧化硅薄膜(2)、中间层二氧化硅薄膜(3)、稀疏层二氧化硅薄膜(4)的厚度比为1:2:4。

5.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池多层二氧化硅减反射膜，其特征是，所述硅基衬底(1)选自准单晶衬底、多晶衬底中的一种。