[发明专利]发光二极管及发光二极管制造方法有效
| 申请号： | 201210453099.1 | 申请日： | 2012-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN103811606A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 林雅雯;邱镜学;凃博闵;黄世晟 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 制造 方法 | ||
1.一种发光二极管，包括：
蓝宝石基板；
覆盖在蓝宝石基板表面的碳纳米管，碳纳米管之间形成有间隙以暴露出蓝宝石基板的部分表面；
未掺杂的GaN层，形成在暴露的蓝宝石基板的表面且覆盖所述碳纳米管；
N型GaN层，形成在未掺杂的GaN层表面；
活性层，形成在N型GaN层表面；以及
P型GaN层，形成在活性层表面。
2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述碳纳米管的管径为15~30nm。
3.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述碳纳米管相互间隔且平行于蓝宝石基板的表面。
4.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述活性层为多量子阱层。
5.一种发光二极管的制造方法，包括以下步骤：
提供一个蓝宝石基板；
在蓝宝石基板的表面覆盖多个碳纳米管，碳纳米管之间形成有间隙以暴露出蓝宝石基板的部分表面；
在蓝宝石基板的未被碳纳米管覆盖的区域生长未掺杂的GaN层，且所述GaN层覆盖所述碳纳米管；
在未掺杂的GaN层表面生长N型GaN层；
在N型GaN层表面生长活性层；以及
在活性层表面生长P型GaN层。
6.如权利要求5所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，所述碳纳米管的管径为15~30nm。
7.如权利要求5所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，所述碳纳米管相互间隔且平行于蓝宝石基板的表面。
8.如权利要求5所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，所述活性层为多量子阱层。
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