[发明专利]多栅格曝光方法

权利要求书

1.一种方法，包括：

接收包括栅格上的目标图案的集成电路(IC)布局；

接收多栅格结构，所述多栅格结构包括在第一方向上相互偏移一定偏移量的第一曝光栅格段和第二曝光栅格段；以及

实施多栅格曝光以将所述目标图案曝光到衬底上，从而在所述衬底上形成电路部件图案，其中实施所述多栅格曝光包括：

在第二方向上横穿所述衬底的表面扫描所述第一曝光栅格段并在所述第一曝光栅格段的扫描期间将所述目标图案曝光在所述衬底上，所述第一方向与所述第二方向相互正交；和

在所述第二方向上横穿所述衬底的表面扫描所述第二曝光栅格段并在所述第二曝光栅格段的扫描期间将所述目标图案曝光到所述衬底上，

其中，实施在所述第二曝光栅格段的扫描期间将所述目标图案曝光在所述衬底上，使得在所述第一方向发生所曝光目标图案的亚像素位移，

其中，在所述第二曝光栅格段的扫描期间将所述目标图案曝光在所述衬底上包括将所述曝光延迟增量时间(Δt)，使得在所述第二方向上发生所曝光目标图案的亚像素位移。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述IC布局设计的所述栅格包括第一二维(2D)像素阵列，所述第一2D像素阵列中的每个像素都具有第一长度和第一宽度，并且所述第一2D像素阵列中的每个像素都具有第一尺寸，所述第一尺寸是所述第一长度和所述第一宽度的函数，

其中，所述第一曝光栅格段和所述第二曝光栅格段包括第二二维(2D)阵列像素，所述第二2D像素阵列中的每个像素都具有第二长度和第二宽度，并且所述第二2D像素阵列中的每个像素都具有第二尺寸，所述第二尺寸是所述第二长度和所述第二宽度的函数，以及

其中，所述第二尺寸大于所述第一尺寸。

3.根据权利要求2所述的方法，其中：

配置所述第一2D像素阵列中的每个像素的所述第一尺寸，使得所述目标图案的边界基本上对准在所述第一2D像素阵列的像素的边界内。

4.一种方法，包括：

在第一方向上扫描衬底使得多栅格结构覆盖所述衬底，所述多栅格结构包括第一曝光栅格段和第二曝光栅格段，所述第一曝光栅格段和所述第二曝光栅格段包括以具有行和列的栅格图案布置的二维(2D)像素阵列，所述第一曝光栅格段在第二方向上相对于所述第二曝光栅格段偏移，所述第一方向与所述第二方向相互正交；

将目标图案曝光在所述第一曝光栅格段下面的所述衬底上，所述目标图案被限定在集成电路(IC)布局设计的栅格上，所述IC布局设计的所述栅格包括以具有行和列的栅格图案布置的2D像素阵列；

将所述目标图案曝光在所述第二曝光栅格段下面的所述衬底上，使得在所述第二方向上发生所曝光目标图案的亚像素位移；以及

将所述目标图案在所述第二曝光栅格段下面的所述衬底上的曝光延迟增量时间(Δt)，使得在所述第一方向上发生所曝光目标图案的亚像素位移。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，计算偏移量，使得所述偏移量与曝光栅格段的数量相乘等于所述2D像素阵列的像素的宽度。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，以扫描速度(V_s)实施扫描，并且，

其中，所述第一方向上的所述亚像素位移是所述Δt和所述V_s的函数。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述Δt和所述V_s是常数，并且

其中，所述第一方向上的所述亚像素位移＝V_s*Δt。