[发明专利]多路比较器电路

权利要求书

1.一种多路比较器电路，其特征在于，包括输入选择电路和比较输出电路；

所述输入选择电路用于从多路信号中选择用于比较的一路输入信号和一路参考信号；

所述比较输出电路包括电源，第一、第二、第三、第四、第五、第六、第七、第八金属氧化物半导体MOS管；

第一、第二MOS管的源漏极的一极与所述电源连接，第一、第二MOS管的另一极相互连接，并与第三、第八MOS管的栅极和第五MOS管的源漏极的一极连接，并在该连接处输出第一比较信号；

第六MOS管的源漏极的一极与该第五MOS管的另一极连接，该第六MOS管的另一极与所述输入选择电路选择的输入信号连接；

第三、第四MOS管的源漏极的一极与所述电源连接，第三、第四MOS管的另一极相互连接，并与第二、第六MOS管的栅极和第七MOS管的源漏极的一极连接，并在该连接处输出第二比较信号；

第八MOS管的源漏极的一极与该第七MOS管的另一极连接，该第八MOS管的另一极与所述输入选择电路选择的参考信号连接；

第一、第四、第五、第七MOS管的栅极接相应的门控信号。

2.根据权利要求1所述的多路比较器电路，其特征在于，所述输入选择电路包括至少两个栅极接不同输入信号的MOS管，至少两个栅极接不同参考信号的MOS管和相应的控制MOS管，其中栅极接输入信号的MOS管间相互并联，栅极接参考信号的MOS管间相互并联；

所述栅极接输入信号的MOS管的源漏极的一极与相应的控制MOS管的源漏极的一极连接，该栅极接输入信号的MOS管的另一极与所述第六MOS管的源漏极的一极连接；

所述栅极接参考信号的MOS管的源漏极的一极与相应的控制MOS管的源漏极的一极连接，该栅极接参考信号的MOS管的另一极与所述第八MOS管的源漏极的一极连接；

各控制MOS管的源漏极的另一极接地，栅极接不同的控制信号，控制对各输入信号和参考信号的选择。

3.根据权利要求2所述的多路比较器电路，其特征在于，一个控制MOS管仅控制一个所述栅极接输入信号的MOS管或一个所述栅极接参考信号的MOS管。

4.根据权利要求2所述的多路比较器电路，其特征在于，一个控制MOS管同时控制一个所述栅极接输入信号的MOS管和一个所述栅极接参考信号的MOS管。

5.根据权利要求3或4所述的多路比较器电路，其特征在于，多个栅极接输入信号的MOS管的栅极相互连接，形成一个输入端，用于对同一输入信号的放大。

6.根据权利要求5所述的多路比较器电路，其特征在于，所述栅极接输入信号的MOS管的宽长比与所述栅极接参考信号的MOS管的宽长比不同。

7.根据权利要求5所述的多路比较器电路，其特征在于，所述栅极接输入信号的MOS管的宽长比相同。

8.根据权利要求6或7所述的多路比较器电路，其特征在于，所述比较输出电路还包括第九MOS管，用于复位和稳定输出的比较信号，该第九MOS管的源漏极的一极与所述第三MOS管的栅极连接，该第九MOS管的另一极与所述第二MOS管的栅极连接，该第九MOS管的栅极接相应的门控信号。

9.根据权利要求6或7所述的多路比较器电路，其特征在于，所述第一、第二、第三、第四MOS管为第一半导体类型，所述第五、第六、第七、第八MOS管和所述输入选择电路中的MOS管为第二半导体类型。

10.根据权利要求9所述的多路比较器电路，其特征在于，所述第一半导体类型的MOS管为NMOS管，所述第二半导体类型的MOS管为PMOS管。