[发明专利]闪存中的资料补偿方法有效

专利信息
申请号: 201210449187.4 申请日: 2012-11-12
公开(公告)号: CN103811077B 公开(公告)日: 2017-03-29
发明(设计)人: 曾士家;曾建富;张锡嘉;周彦宇 申请(专利权)人: 光宝电子(广州)有限公司;光宝科技股份有限公司
主分类号: G11C29/44 分类号: G11C29/44
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司11021 代理人: 汤保平
地址: 广东省广州市高新技*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 闪存 中的 资料 补偿 方法
【权利要求书】:

1.一种闪存中的错误资料补偿方法,该闪存中包括多个存储单元,每一个存储单元至少可储存一第一储存状态或一第二储存状态,且该第一储存状态相邻于该第二储存状态,该第一储存状态具备一低电平且该第二储存状态具备一高电平,该错误资料补偿方法包括下列步骤:

统计该闪存中该第一储存状态的存储单元与一临界电压的一第一曲线分布;

统计该闪存中该第二储存状态的存储单元与该临界电压的一第二曲线分布;

设定一统计电压范围;

根据该统计电压范围与该第一曲线分布,获得该第一储存状态下一第一种ICI图样出现的一第一机率;

根据该统计电压范围与该第二曲线分布,获得该第二储存状态下该第一种ICI图样出现的一第二机率;以及

于一读取周期时,根据该第一机率与该第二机率补偿该第一种ICI图样对应的中央存储单元。

2.如权利要求1所述的闪存中的错误资料补偿方法,其中,于该读取周期,当1减去该第二机率的结果再乘以该第一机率所获得的数值大于一第一预定值时,将该第一种ICI图样对应的中央存储单元由该第二储存状态改为该第一储存状态,并由一硬解码单元进行资料校正。

3.如权利要求1所述的闪存中的错误资料补偿方法,其中,于该读取周期,当1减去该第二机率的结果再乘以该第一机率所获得的数值大于一第一预定值时,提供一接近第一状态指示至一软解码单元进行资料校正。

4.如权利要求1所述的闪存中的错误资料补偿方法,其中,于该读取周期,当该第一机率值大于该第二机率值时,将该第一种ICI图样对应的中央存储单元由该第二储存状态改为该第一储存状态,并由一硬解码单元进行资料校正。

5.如权利要求1所述的闪存中的错误资料补偿方法,其中,于该读取周期,当该第一机率值大于该第二机率值时,提供一接近第一状态指示至一软解码单元进行资料校正。

6.如权利要求1所述的闪存中的错误资料补偿方法,还包括下列步骤:

利用该第一曲线分布获得具该第一种ICI图样的中央存储单元的一第一数目;

利用该第一曲线分布与该统计电压范围获得具该第一种ICI图样且该临界电压位于该统计电压范围内中央存储单元的一第二数目;以及

将该第二数目除以该第一数目获得该第一机率。

7.如权利要求1所述的闪存中的错误资料补偿方法,还包括下列步骤:

利用该第二曲线分布获得具该第一种ICI图样的中央存储单元的一第三数目;

利用该第二曲线分布与该统计电压范围获得具该第一种ICI图样且该临界电压位于该统计电压范围内中央存储单元的一第四数目;以及

将该第四数目除以该第三数目获得该第二机率。

8.如权利要求1所述的闪存中的错误资料补偿方法,其中区别该第一储存状态与该第储存二状态的一切割电压位于该统计电压范围之内。

9.一种闪存中的资料补偿方法,该闪存中包括多个存储单元,每一个存储单元至少可储存一第一储存状态或一第二储存状态,且该第一储存状态相邻于该第二储存状态,该第一储存状态具有一第一临界电压分布且该第二储存状态具有一第二临界电压分布,该资料补偿方法包括下列步骤:

设定一统计电压范围,该统计电压范围位于该第一临界电压及该第二临界电压之间;

统计于该统计电压范围内,该第一储存状态下一第一种ICI图样出现的一第一机率;

统计于该统计电压范围内,该第二储存状态下该第一种ICI图样出现的一第二机率;以及

于一读取周期时,于该统计电压范围内,根据该第一机率与该第二机率补偿该第一种ICI图样对应的中央存储单元。

10.如权利要求9所述的闪存中的资料补偿方法,还包括下列步骤:

统计于该统计电压范围内,该存储单元为该第一储存状态且具该第一种ICI图样的一第一数目;以及

将该第一数目除以该存储单元为该第一储存状态且具该第一种MI图样的一第二数目,以获得该第一机率。

11.如权利要求9所述的闪存中的资料补偿方法,还包括下列步骤:

统计于该统计电压范围内,该存储单元为该第二储存状态且具该第一种ICI图样的一第三数目;以及

将该第三数目除以该存储单元为该第二储存状态且具该第一种ICI图样的一第四数目,以获得该第二机率。

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