[发明专利]形成埋入式导线的方法及埋入式导线的结构

说明书

技术领域

本发明是关于集成电路(IC)的制作，且特别是关于形成埋入式导线的方法及埋入式导线的结构。

背景技术

为了增加晶体管的通道长度、充分利用基底空间、增加不同层级的导线之间的距离等目的，可以在基底中形成埋入式导线。

举例而言，当DRAM的集成度增加超过一定程度时，传统平面式晶体管的通道长会过短而造成短通道效应等，且元件尺寸的缩小亦减少字元线及位元线之间的距离，从而引发较大的寄生电容。如将字元线形成为基底内的埋入式导线，即可解决以上问题。

然而，由于埋入式导电层整体深埋于沟槽中，所以随后形成于覆盖埋入式导线的介电层中的接触窗将具有大长宽比而难以形成。再者，由于接触孔洞的形成需要蚀穿接触接区域中埋入式导电层之上的沟槽中所填充的介电层，所以周边的磊晶层会凹陷。

发明内容

因此，本发明提供形成埋入式导线的方法。

本发明亦提供埋入式导线结构，其可以使用上述本发明的方法形成。

本发明的形成埋入式导线的方法如下。首先提供基底，此基底中有沟槽且上有接触区域，其中沟槽有一末端部分位于接触区域中，且沟槽中填充有导电层。接着形成罩幕层覆盖沟槽的末端部分中的导电层，即接触区域中的导电层。接着以罩幕层为罩幕回蚀刻导电层。

在本发明一实施例中，上述方法还包括：移除罩幕层；在基板上形成介电层；以及在介电层中形成至少一个接触窗，此接触窗位于沟槽的末端部分中的导电层上。其中，在移除罩幕层之后但在形成介电层之前，还可在不位在沟槽的末端部分中的导电层之上形成顶盖层。

在本发明一实施例中，上述导电层与基底之间以绝缘层相隔。

在本发明一实施例中，上述埋入式导线用作字元线。

本发明的埋入式导线的结构包括基底及导电层。基底中有沟槽且上有接触区域，其中沟槽有一末端部分位于接触区域中。导电层填充于沟槽中，其中位于接触区域中沟槽的末端部分中的导电层的顶部高于不位于接触区域中沟槽的末端部分中的导电层的顶部。

在本发明一实施例中，上述结构还包括：介电层，覆盖基底及导电层；以及至少一个接触窗，位于介电层中，且位于沟槽末端部分中的导电层上。此时上述结构可还包括顶盖层，位于不位在沟槽末端部分中的导电层之上。

在本发明一实施例中，上述结构还包括绝缘层，其中导电层与基底以此绝缘层相隔。

在本发明一实施例中，上述埋入式导线用作字元线。

由于接触区域中的埋入式导线的顶部高于非接触区域中的埋入式导线的顶部，随后形成于覆盖埋入式导线的介电层中的接触窗的长宽比小于现有技术中的接触窗。

再者，亦可在非接触区域的埋入式导线之上形成氮化物顶盖层，因为形成接触窗时不需要蚀穿此顶盖层。又由于形成接触窗时不必蚀穿接触区内的埋入式导线上方沟槽中所填充的介电层，故可大为减少周边的磊晶层的凹陷。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明

图1A及图2示出本发明实施例的形成埋入式导线的方法的剖面图；

图1B为图1A所示结构的俯视图；

图1C示出图1A及1B所示结构的C-C’剖面图；

图1D示出图1A及1B所示结构的D-D’剖面图。

附图标记说明：

100：基底；

102：沟槽；

104、112：罩幕层；

106：绝缘层；

108：导电层；

108a、108b：埋入式导线的部分；

110：接触区域；

114：非等向性蚀刻；

116：剖面轮廓；

120：点圈；

130：顶盖层；

132：介电层；

134：接触窗。

具体实施方式

图1A及图2示出本发明实施例的形成埋入式导线的方法的剖面图。图1B为图1A所示结构的俯视图，其中图1A为该结构的A-A’的剖面图。此外，图1C示出图1A及1B所示结构的C-C’剖面图，图1D示出图1A及1B所示结构的D-D’剖面图。